| 요약 |
본 발명은 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 원자 힘 현미경의 음극 산화 리소그래피 방법을 이용하여 일정 식각 선택비를 갖는 두 층의 박막 중 상층 박막에 대하여 산화물 패턴을 형성하고, 상기 산화물 패턴과 하층 박막을 차례로 건식 식각함으로써, 박막 패턴의 깊이를 획기적으로 증가시키고, 기존의 나노 패턴 리소그래피를 위한 유기물 레지스트 및 고 진공 환경을 필요로 하지 않는 박막 패턴 제작 방법에 관한 것이다.이를 위해,(a) 기판 상에 제1 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 박막 상에 식각 마스크용 제2 박막을 형성하는 단계;(c) 원자 힘 현미경을 이용하여 상기 제2 박막 일부에 산화물 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 산화물 패턴을 건식 식각하여 상기 제1 박막의 일부를 노출시키는 식각 마스크를 형성하는 단계; 및(e) 상기 식각 마스크를 이용하여 노출된 제1 박막 부분을 건식 식각하는 단계;를 포함하여 구성되며, 상기 제2 박막 및 제1 박막은 플라즈마 식각시 식각 선택비가 1 : 1.5 이상인 것을 특징으로 하는 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법을 제공한다.원자 힘 현미경, 리소그래피, 금속 나노패턴, 박막 패턴, 식각, 산화물, 레지스트, 반사형 마스크, 해상도.
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