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이차원 이황화주석 박막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2018008600
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 산화주석 박막을 형성하는 단계 및 산화주석 박막을 황화처리하는 단계를 포함하는 이황화주석 박막 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01)
CPC C23C 16/407(2013.01) C23C 16/407(2013.01) C23C 16/407(2013.01) C23C 16/407(2013.01)
출원번호/일자 1020160174500 (2016.12.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0071643 (2018.06.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 편정준 대한민국 서울특별시 성북구
2 권범진 대한민국 서울특별시 성북구
3 백승협 대한민국 서울특별시 성북구
4 강종윤 대한민국 서울특별시 성북구
5 최지원 대한민국 서울특별시 성북구
6 김진상 대한민국 서울특별시 성북구
7 김성근 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1249627-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0152730-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0726273-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1257761-90
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1257760-44
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0278739-89
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0592557-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0592556-61
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0728523-13
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.11.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1188471-92
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1188469-00
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0886164-86
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번호 청구항
1 1
산화알루미늄 기판 상에 일산화주석 박막을 형성하는 단계; 상기 일산화주석 박막을 황화처리하는 단계; 및 상기 황화처리는 황화수소 가스로 300℃내지 400℃범위에서 열처리하여 단일상의 이황화주석 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 산화알루미늄 기판의 표면 에너지는, 형성되는 상기 이황화주석 박막의 표면 에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 단일상의 이황화주석 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 일산화주석 박막은 원자층 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 단일상의 이황화주석 박막 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제 2 항에 있어서,상기 원자층 증착법은, 상기 기판 상에 주석 원료를 공급하는 단계;상기 주석 원료를 퍼지하는 단계;산소 원료를 공급하는 단계; 및 상기 산소 원료를 퍼지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일상의 이황화주석 박막 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 원자층 증착법은, 상온 내지 300℃범위에서 실시되는 것을 특징으로 하는 단일상의 이황화주석 박막 형성 방법
6 6
삭제
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 일산화주석 박막의 두께는 상기 원자층 증착법의 사이클 수에 따라 결정되며, 상기 이황화주석 박막의 두께는 상기 일산화주석 박막의 두께에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 단일상의 이황화주석 박막 형성 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 4 항에 있어서, 상기 주석 원료는, 이염화주석, 사염화주석, 테트라키스-디메틸아미노 주석, 테트라키스-디에틸아미노 주석, 테트라키스-에틸메틸아미노 주석, 비스-비스-트리메틸실릴-아미노 주석, 테트라메틸 주석, 테트라에틸 주석, 트리메틸-페닐 주석, 디메틸라미노-2-메틸-2-프로폭시-주석(Ⅱ아세틸아세톤 주석 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일상의 이황화주석 박막 형성 방법
11 11
제 4 항에 있어서, 상기 산소 원료는, 물, 산소 기체, 공기, 질소와 산소의 혼합 가스, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 오존, 과산화수소, 산소 플라즈마 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일상의 이황화주석 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.