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플라즈모닉 리소그래피를 이용한 나노 구조 패턴 대면적화 시스템

  • 기술번호 : KST2018008900
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈모닉 리소그래피를 이용한 나노 구조 패턴 대면적화 시스템에 관한 것으로서, 상세하게는 (1) 기판 위에 포토레지스트를 코팅하는 단계; (2) 상기 코팅된 포토레지스트 상부에 마스크를 위치시키는 단계; (3) 상기 마스크에 플라즈모닉 리소그래피에 의해 레이저를 조사함으로써 포토레지스트를 노광하여, 포토레지스트 상에 패턴을 형성하는 단계; 및 (4) 상기 패턴이 형성된 포토레지스트 기판을 고정한 상태에서, 상기 마스크를 상기 포토레지스트 상에 형성된 패턴 크기만큼 X축 또는 Y축 방향으로 이동시켜, 상기 (3) 단계를 반복하는 단계;를 포함하고, 상기 (4) 단계는 수회 반복되는 것을 특징으로 하는, 플라즈모닉 리소그래피를 이용한 나노 구조 패턴 대면적화 시스템에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) H01L 21/268 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020160177408 (2016.12.23)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0073892 (2018.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김규정 대한민국 부산광역시 동래구
2 김태연 대한민국 부산광역시 동래구
3 이예지 대한민국 부산광역시 동구
4 안희상 대한민국 부산광역시 금정구
5 송혜린 대한민국 부산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 부산광역시 연제구 중앙대로 ****, *층 (거제동)(아너스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1265487-82
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0600746-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) 기판 위에 포토레지스트를 코팅하는 단계;(2) 상기 코팅된 포토레지스트 상부에 마스크를 위치시키는 단계;(3) 상기 마스크에 플라즈모닉 리소그래피에 의해 레이저를 조사함으로써 포토레지스트를 노광하여, 포토레지스트 상에 패턴을 형성하는 단계; 및(4) 상기 패턴이 형성된 포토레지스트 기판을 고정한 상태에서, 상기 마스크를 상기 포토레지스트 상에 형성된 패턴 크기만큼 X축 또는 Y축 방향으로 이동시켜, 상기 (3) 단계를 반복하는 단계;를 포함하고, 상기 (4) 단계는 수회 반복되는 것을 특징으로 하는, 플라즈모닉 리소그래피를 이용한 나노 구조 패턴 대면적화 시스템
2 2
제 1 항에 있어서,상기 마스크는 150 내지 300 nm의 홀 크기를 갖는 것을 특징으로 하는, 플라즈모닉 리소그래피를 이용한 나노 구조 패턴 대면적화 시스템
3 3
제 1 항에 있어서,상기 (3) 단계는, 레이저로부터 평행하게 조사된 빛을 45°각도의 제1 미러를 통해, 90°로 꺾어 Y축 방향에 위치한 제2 미러로 전달하는 단계와, 상기 제 2 미러를 통해 마스크로 레이저 빛을 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라즈모닉 리소그래피를 이용한 나노 구조 패턴 대면적화 시스템
4 4
제 1 항에 있어서,상기 마스크는 Au로 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는, 플라즈모닉 리소그래피를 이용한 나노 구조 패턴 대면적화 시스템
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 시스템으로 대면적화된 나노 구조 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는, 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국광기술원 센서산업고도화전문기술개발사업 100k급 측정 유효점을 갖는 분포형 광 역산란 계측센서용 주파수 영역 기반 핵심소자 기술 개발