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초음파 분산을 이용한 선택적 리프트-오프 공정(sonication assisted selective lift-off) 기반의 유연 투명전극 제조 방법에 있어서, 복제 가교 고분자 몰드의 제1 요철 패턴 상에 금속을 증착하는 단계; 용매에 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드를 담가 상기 복제 가교 고분자 몰드를 선택적으로 팽윤(swelling)시켜, 상기 제1 요철 패턴의 돌출부 및 만입부 중 상기 돌출부에 증착된 금속과 상기 복제 가교 고분자 몰드 사이의 결합력을 약화시키는 단계; 및 초음파 분산을 이용하여, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 상기 돌출부에 증착된 금속을 제거하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 상기 돌출부에 증착된 금속을 제거하는 단계는 상기 복제 가교 고분자 몰드와 결합력이 약화된 상기 돌출부에 증착된 금속에 상기 초음파 분산을 통해 물리적인 충격을 가하여, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 상기 돌출부에 증착된 금속을 제거하는 단계인, 유연 투명전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 용매는 상기 복제 가교 고분자 몰드를 선택적으로 팽윤시키는 물질인, 유연 투명전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드는 경화 시 가교결합을 형성하여, 상기 용매에 대해 용해되지 않고 구조 변경 없이 팽윤되는 물질 및 상기 용매의 증발 시 원래의 형태로 복구되는 물질로 형성되는, 유연 투명전극 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드는 상기 돌출부 및 상기 만입부 각각에서 팽윤되는 정도가 서로 상이한, 유연 투명전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 요철 패턴은 미리 설정된 폭 및 깊이를 갖는 상기 만입부 및 상기 돌출부를 포함하는 점 패턴, 라인 패턴, 그물 패턴 또는 다각 패턴 중 적어도 어느 하나의 형태를 갖도록 형성되는, 유연 투명전극 제조 방법
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제1항에 있어서,제2 요철 패턴이 표면에 형성된 마스터 몰드를 제작하는 단계; 및 상기 마스터 몰드를 이용하여 상기 제2 요철 패턴의 역상인 상기 제1 요철 패턴이 표면에 형성된 상기 복제 가교 고분자 몰드를 생성하는 단계를 더 포함하는 유연 투명전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드의 제1 요철 패턴 상에 금속을 증착하는 단계는 진공열 증착(thermal evaporation) 기법, 진공전자빔 증착(e-beam evaporation) 기법 또는 스퍼터링(sputtering) 기법 중 적어도 어느 하나의 기법을 이용하여 상기 제1 요철 패턴 상에 상기 금속을 증착하는 단계를 포함하는 유연 투명전극 제조 방법
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초음파 분산을 이용한 선택적 리프트-오프 공정(sonication assisted selective lift-off) 기반으로 제조되는 유연 투명전극에 있어서,제1 요철 패턴이 표면에 형성되도록 생성된 복제 가교 고분자 몰드; 및 상기 제1 요철 패턴의 돌출부 및 만입부 중 상기 만입부에 증착된 금속을 포함하고, 상기 만입부에 증착된 금속은 상기 복제 가교 고분자 몰드의 제1 요철 패턴 상에 금속이 증착되고, 용매에 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드가 담가져 상기 복제 가교 고분자 몰드가 선택적으로 팽윤되어, 상기 돌출부에 증착된 금속과 상기 복제 가교 고분자 몰드 사이의 결합력이 약화됨으로써, 초음파 분산을 이용하여, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 상기 돌출부에 증착된 금속이 제거되어 형성되는, 유연 투명전극
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제9항에 있어서,상기 돌출부에 증착된 금속은 상기 복제 가교 고분자 몰드와 결합력이 약화된 후, 상기 초음파 분산을 통해 물리적인 충격을 받아, 상기 금속이 증착된 복제 가교 고분자 몰드로부터 제거되는, 유연 투명전극
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제9항에 있어서,상기 용매는 상기 복제 가교 고분자 몰드를 선택적으로 팽윤시키는 물질인, 유연 투명전극
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제9항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드는 경화 시 가교결합을 형성하여, 상기 용매에 대해 용해되지 않고 구조 변경 없이 팽윤되는 물질 및 상기 용매의 증발 시 원래의 형태로 복구되는 물질로 형성되는, 유연 투명전극
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제12항에 있어서,상기 복제 가교 고분자 몰드는 상기 돌출부 및 상기 만입부 각각에서 팽윤되는 정도가 서로 상이한, 유연 투명전극
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제9항에 있어서,상기 제1 요철 패턴은 미리 설정된 폭 및 깊이를 갖는 상기 만입부 및 상기 돌출부를 포함하는 점 패턴, 라인 패턴, 그물 패턴 또는 다각 패턴 중 적어도 어느 하나의 형태를 갖도록 형성되는, 유연 투명전극
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