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다이아몬드 박막과 cBN 박막의 적층체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018011528
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드 박막층 상에 입방정질화붕소(cBN) 박막층을 증착시켜 입방정질화붕소(cBN) 박막층의 박리특성을 개선함에 있어서, 다이아몬드 박막층으로 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층을 이용하고, 판상 구조의 다이아몬드 박막층에 입방정질화붕소(cBN) 박막층을 증착시킴으로써 판상 구조의 다이아몬드 박막층과 입방정질화붕소(cBN) 박막층이 쐐기 형태로 결합되는 구조를 유도하여 입방정질화붕소(cBN) 박막층의 박리특성을 향상시킬 수 있는 다이아몬드 박막과 cBN 박막의 적층체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 다이아몬드 박막과 cBN 박막의 적층체 제조방법은 HFCVD(hot filament chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층을 형성하는 단계; 및 상기 다이아몬드 박막층 상에 입방정질화붕소(cBN) 박막을 증착하는 단계;를 포함하여 이루어지며, 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층의 빈 공간에 입방정질화붕소(cBN) 박막이 채워지는 형태로 증착되어, 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층과 입방정질화붕소(cBN) 박막은 서로 맞물리는 쐐기 형태를 이루는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 16/27 (2006.01.01) C23C 14/00 (2018.01.01) C23C 14/22 (2006.01.01) C23C 28/04 (2006.01.01)
CPC C23C 14/0647(2013.01) C23C 14/0647(2013.01) C23C 14/0647(2013.01) C23C 14/0647(2013.01) C23C 14/0647(2013.01) C23C 14/0647(2013.01)
출원번호/일자 1020170020068 (2017.02.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1966857-0000 (2019.04.02)
공개번호/일자 10-2018-0093662 (2018.08.22) 문서열기
공고번호/일자 (20190408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 성북구
2 박종극 대한민국 서울특별시 성북구
3 이욱성 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0152370-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2017-0041508-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0453319-22
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0871585-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0871584-51
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0014218-24
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번호 청구항
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HFCVD(hot filament chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층을 형성하는 단계; 및상기 다이아몬드 박막층 상에 입방정질화붕소(cBN) 박막을 증착하는 단계;를 포함하여 이루어지며, 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층의 빈 공간에 입방정질화붕소(cBN) 박막이 채워지는 형태로 증착되어, 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층과 입방정질화붕소(cBN) 박막은 서로 맞물리는 쐐기 형태를 이루며, 상기 HFCVD 방법은 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합기체를 이용하며, 메탄(CH4)의 비율은 3∼5vol%이며, 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층은 박막의 표면부가 불연속적인 박막인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막과 cBN 박막의 적층체 제조방법
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 다이아몬드 박막층 상에 입방정질화붕소(cBN) 박막이 형성되기 전에 tBN(turbostratic BN) 박막이 형성되며, 상기 입방정질화붕소(cBN) 박막 및 tBN(turbostratic BN) 박막은 반응기체를 이용한 스퍼터링 공정 또는 이온빔 증착공정을 통해 증착되며, 상기 tBN 박막이 형성되는 시점까지 반응기체로 아르곤(Ar)과 질소(N2)의 혼합기체가 공급되며, 상기 tBN 박막의 성장이 완료되는 시점 이후에는 아르곤(Ar), 질소(N2), 수소(H2)의 혼합기체가 반응기체로 공급되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막과 cBN 박막의 적층체 제조방법
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수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층 상에 입방정질화붕소(cBN) 박막이 적층된 형태를 이루며, 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층의 빈 공간에 입방정질화붕소(cBN) 박막이 채워지는 형태로 적층되어, 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층과 입방정질화붕소(cBN) 박막은 서로 맞물리는 쐐기 형태를 이루며, 수직 방향으로 성장된 판상 구조의 다이아몬드 박막층은 박막의 표면부가 불연속적인 박막인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막과 cBN 박막의 적층체
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.