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고경도 탄화규소 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018011529
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Si 클러스터(cluster), Si-C 클러스터 및 C 클러스터로 이루어진 비정질 탄화규소 박막을 열처리하여 각 클러스터 내부에서의 원자배열 규칙성(ordering)을 증가시킴으로써 전위(dislocation)의 생성, 이동이 억제되는 박막 구조를 통해 박막의 경도를 향상시킬 수 있는 고경도 탄화규소 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 고경도 탄화규소 박막의 제조방법은 Si 클러스터, Si-C 클러스터 및 C 클러스터로 이루어진 비정질 탄화규소 박막을 증착하는 단계; 및 상기 비정질 탄화규소 박막을 열처리하여 각각의 클러스터 내부의 원자배열 규칙성을 증가시켜 탄화규소 박막의 경도를 증가시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/35 (2006.01.01)
CPC C23C 14/0635(2013.01) C23C 14/0635(2013.01) C23C 14/0635(2013.01)
출원번호/일자 1020170020069 (2017.02.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0093663 (2018.08.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.14)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 성북구
2 박종극 대한민국 서울특별시 성북구
3 이욱성 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0152371-89
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0453320-79
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0870788-90
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0971201-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0971202-59
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0087699-50
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번호 청구항
1 1
Si 클러스터, Si-C 클러스터 및 C 클러스터로 이루어진 비정질 탄화규소 박막을 증착하는 단계; 및 상기 비정질 탄화규소 박막을 열처리하여 각각의 클러스터 내부의 원자배열 규칙성을 증가시켜 탄화규소 박막의 경도를 증가시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고경도 탄화규소 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 각각의 클러스터 내부의 원자배열 규칙성 증가에 의해 생성되는 결정의 크기는 10nm 이하로 제어되도록 열처리 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 고경도 탄화규소 박막의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 열처리 온도는 1000∼1200℃인 것을 특징으로 하는 고경도 탄화규소 박막의 제조방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 열처리 온도는 1000℃인 것을 특징으로 하는 고경도 탄화규소 박막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 탄화규소 박막은 상온에서 증착되는 것을 특징으로 하는 고경도 탄화규소 박막의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 탄화규소 박막은 비대칭 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 상온 하에서 증착되는 것을 특징으로 하는 고경도 탄화수소 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.