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삼차원 탄소나노구조체 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018013818
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 수지 내에서의 젖음성이 향상되고, 분산성, 열전도특성 및 전기전도특성이 우수한 삼차원 탄소나노구조체 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 삼차원 탄소나노구조체는 이차원 탄소소재 상에 일차원 탄소소재가 위치하여 형성된 삼차원 탄소나노구조체를 포함하되, 삼차원 탄소나노구조체는 표면개질층이 형성되어 있다.
Int. CL C01B 32/18 (2017.01.01) C09C 1/44 (2006.01.01) C09C 3/12 (2006.01.01) C09C 3/04 (2006.01.01) C08K 7/00 (2006.01.01) C08K 9/06 (2006.01.01) C08L 101/00 (2006.01.01)
CPC C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170043827 (2017.04.04)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0112572 (2018.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박지선 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이철승 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0330521-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0005326-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0701627-86
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1117981-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-1117969-74
7 등록결정서
Decision to grant
2018.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0775191-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
이차원 탄소소재 상에 일차원 탄소소재를 성장시켜 삼차원 탄소나노구조체를 제조하는 제1단계; 및상기 삼차원 탄소나노구조체 및 산소를 포함하는 관능기를 갖는 표면개질제를 반응시켜 상기 삼차원 탄소나노구조체 표면에 상기 산소를 포함하는 관능기를 부착시키는 제2단계;를 포함하는 삼차원 탄소나노구조체 제조방법으로서, 상기 삼차원 탄소나노구조체의 표면에 히드록시기를 부착시키는 전처리단계;를 더 포함하는 삼차원 탄소나노구조체 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 산소를 포함하는 관능기는 에폭사이드 관능기인 것을 특징으로 하는 삼차원 탄소나노구조체 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 산소를 포함하는 관능기는 상기 일차원 탄소소재 및 상기 이차원 탄소소재의 표면 전체에 형성된 것인 삼차원 탄소나노구조체 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 표면개질제는 3-(글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란인 것을 특징으로 하는 삼차원 탄소나노구조체 제조방법
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 제1단계는 상기 이차원 탄소소재 표면에 상기 일차원 탄소소재 성장을 위한 금속촉매를 담지하고, 상기 금속촉매로부터 상기 일차원 탄소소재를 성장시키되, 상기 금속촉매는 성장된 일차원 탄소소재의 상단 팁에 위치하도록 수행되는 것을 특징으로 하는 삼차원 탄소나노구조체 제조방법
7 7
삭제
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 전처리단계는 상기 삼차원 탄소나노구조체에 UV 및 O3를 적용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 삼차원 탄소나노구조체 제조방법
9 9
이차원 탄소소재 상에 일차원 탄소소재를 성장시켜 삼차원 탄소나노구조체를 제조하는 제1단계; 상기 삼차원 탄소나노구조체 및 산소를 포함하는 관능기를 갖는 표면개질제를 반응시켜 상기 삼차원 탄소나노구조체 표면에 상기 산소를 포함하는 관능기를 부착시키는 제2단계; 및표면이 개질된 삼차원 탄소나노구조체를 고분자 수지와 혼합하는 제3단계;를 포함하는 고분자 수지 복합체 제조방법으로서, 상기 삼차원 탄소나노구조체의 표면에 히드록시기를 부착시키는 전처리단계;를 더 포함하는 고분자 수지 복합체 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 고분자 수지는 에폭시 수지, 에틸렌비닐아세테이트, 폴리우레탄, 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 설폰, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리다이메틸실록세인, 실리콘수지 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 것인 고분자 수지 복합체 제조방법
11 11
청구항 9에 있어서, 상기 삼차원 탄소나노구조체는 상기 고분자 수지 전체의 중량을 기준으로 0
12 12
청구항 9에 있어서, 상기 전처리단계는 상기 삼차원 탄소나노구조체에 UV 및 O3를 적용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 수지 복합체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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