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기판이 준비되는 단계;상기 기판 상에 유기 반도체(organic semiconductor) 및 결정화 첨가제(crystallizable additive)가 혼합된 혼합물(mixture)을 제공하는 단계;상기 기판 상의 상기 혼합물을 공융점(eutectic point)에서 응고시켜, 상기 유기 반도체가 에피택시 성장(epitaxial growth)하여 유기 반도체 결정을 형성하는 단계; 및상기 유기 반도체 결정에서 상기 결정화 첨가제를 제거하여, 유기 반도체 구조체를 제조하는 단계를 포함하되,상기 유기 반도체 구조체는 상기 결정화 첨가제의 종류에 따라 결정 구조 및 결정 성장 방향이 결정되는 것을 포함하는 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상의 상기 혼합물을 공융점에서 응고시켜, 상기 유기 반도체가 에피택시 성장하여 상기 유기 반도체 결정을 형성하는 단계는,상기 혼합물이 냉각되어 응고되는 것을 포함하고,상기 혼합물이 냉각되는 속도에 따라, 상기 유기 반도체 구조체의 폭이 조절되는 것을 포함하는 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 혼합물에서 상기 결정화 첨가제의 중량 비율(fraction of crystallizable additive)이 0
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제3항에 있어서,상기 혼합물에서 상기 결정화 첨가제의 중량 비율이 증가할수록 상기 유기 반도체 구조체의 폭이 감소하는 것을 포함하는 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 유기 반도체는 루브렌(rubrene), 펜타센(pentacene), Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium) 또는 구리 프탈로사이아닌(copper phthalocyanine) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 결정화 첨가제는 벤조산(benzoic acid), 나프탈렌(naphthalene), 살리실산(salicylic acid) 또는 트리클로로벤젠(1,3,5-trichlorobenzene) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 친수성(hydrophilic) 또는 소수성(hydrophobic) 표면을 갖는 것을 포함하는 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 기판이 친수성 표면을 갖는 경우, 상기 유기 반도체는 상기 기판의 상부면에서 위로 성장하여 상기 유기 반도체 결정을 형성하고,상기 기판이 소수성 표면을 갖는 경우, 상기 유기 반도체는 상기 기판의 상부면에 평행한 방향으로 성장하여 상기 유기 반도체 결정을 형성하는 것을 포함하는 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1 유기 물질과 제2 유기 물질이 반응하고, 공융 성장(eutectic growth)하여 유기 결정을 형성하는 경우,상기 제1 유기 물질 및 상기 제2 유기 물질의 단위 격자(unit cell) 구조를 분석하는 단계;상기 단위 격자 구조를 통해 결합 에너지(attachment energy)를 계산하는 단계;상기 결합 에너지를 통해 결정 형태(crystal morphology)를 예측하는 단계;상기 결정 형태를 통해 결정 성장 계면(interface)을 정의하는 단계;상기 결정 성장 계면의 계면 형성 에너지(interface formation energy)를 계산하는 단계; 및상기 계면 형성 에너지를 통해 상기 유기 결정의 성장 방향을 예측하는 단계를 포함하는 결정 성장 예측 방법
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제9항에 있어서,상기 계면 형성 에너지를 계산하는 단계는,상기 제1 유기 물질 및 상기 제 2 유기 물질의 cell distortion energy 및 interaction energy의 합인 것을 포함하는 결정 성장 예측 방법
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제10항에 있어서,상기 제1 유기 물질은 유기 반도체 물질이고, 상기 제2 유기 물질은 결정화 첨가제인 경우,상기 제1 유기 물질의 결정 성장의 방향은 상기 제2 유기 물질의 interaction energy에 의해 결정되는 것을 포함하는 결정 성장 예측 방법
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