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내부에 공간이 형성된 챔버;상기 챔버 내에 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부;상기 챔버의 일 측벽에 설치되고, 미세입자를 공급하는 미세입자 공급부;상기 플라스마에 의해 표면 처리된 미세입자를 전기적 반발력을 통해 일 방향으로 이송하는 입자 이송부; 및상기 챔버의 타 측벽에 위치하며, 상기 입자 이송부에 의해 이송된 상기 플라스마에 의해 표면 처리된 미세입자를 수집하는 용기를 포함하되,상기 입자 이송부는,동일 높이에 위치하고, 서로 이격하여 일 방향으로 배열된 복수의 전극; 및상기 플라스마에 의해 표면 처리된 미세입자의 표면 극성과 동일한 극성의 전위를, 상기 전극마다 상이한 전위 분포로 상기 전극에 인가하는 전원부를 포함하며,상기 챔버의 일 측벽에 인접한 전극에는 가장 높은 전위가 인가되고, 상기 챔버의 타 측벽에 인접한 전극에는 가장 낮은 전위가 인가되며, 상기 챔버의 일 측벽에 인접한 전극으로부터 상기 챔버의 타 측벽에 인접한 전극으로 갈수록 상기 전극들에 인가되는 전위의 크기가 점차 감소되는 미세입자 표면 처리장치
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제1 항에 있어서, 인접한 상기 전극들 사이는 빈 공간으로 제공되는 미세입자 표면 처리장치
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제1 항에 있어서, 상기 입자 이송부는, 인접한 상기 전극들 사이에 배치되는 절연체를 더 포함하는 미세입자 표면 처리장치
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챔버의 일 측벽에 설치된 미세입자 공급부에서 미세입자를 제공하는 단계;상기 챔버 내에 플라스마를 제공하여 상기 미세입자의 표면을 처리하는 단계;상기 플라스마에 의해 표면 처리된 미세입자를 전기적 반발력을 통해 입자 이송부 상에서 일 방향으로 이송하는 단계; 및상기 일 방향으로 이동된 상기 플라스마에 의해 표면 처리된 미세입자를 상기 챔버의 타 측벽에 위치한 용기 내에 수집하는 단계를 포함하되,상기 입자 이송부는 동일 높이에 위치하고, 서로 이격하여 일 방향으로 배열된 복수의 전극을 포함하며,상기 이송하는 단계에서, 상기 챔버의 일 측벽에 인접한 전극에는 가장 높은 전위가 인가되고, 상기 챔버의 타 측벽에 인접한 전극에는 가장 낮은 전위가 인가되며, 상기 챔버의 일 측벽에 인접한 전극으로부터 상기 챔버의 타 측벽에 인접한 전극으로 갈수록 상기 전극들에 인가되는 전위의 크기가 점차 감소하는 미세입자 표면 처리방법
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