| 1 |
1
나노구조물의 네트워크 구조를 갖는 가스센서로서, 기판(100); 상기 기판의 상부 표면에 적층된 전극(200); 및 상기 전극 위에 형성된 가스 센싱 부재(300);를 포함하고, 상기 가스 센싱 부재가, 적어도 한 종류의 가스와 접촉시 전기 비저항이 변하는 특성을 갖는 금속 산화물의 나노입자들이 3차원 네트워크 구조로 형성된 수십 마이크로미터 내지 100 마이크로미터 두께의 나노구조물층(310); 및 상기 나노구조물층을 구성하는 나노입자들의 표면에 코팅된 발수코팅층(320);을 포함하고, 상기 나노구조물층을 열증착법에 의해 형성하여, 막대형 또는 다지형의 나노입자들이 상기 전극의 표면에서 상방향으로 뻗어있고 또한 이 나노입자들 사이를 막대형 또는 다지형의 또다른 나노입자들이 연결하도록 형성함으로써 상기 나노구조물층이 나노입자들의 3차원 네트워크 구조를 가지며, 상기 발수코팅층이 발수성을 갖는 실란계 화합물인 PFOTS (1H,1H,2H,2H-Perfluorooctyltriethoxysilane), FOTS (1H,1H,2H,2H-Perfluorooctyltrichlorosilane) 및 TPS (Trimethoxy(propyl)silane) 중 적어도 하나로 이루어지되, 기상증착방법에 의한 자기조립단분자막(SAM)으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스센서
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 기판이 Si, SiO2, Al2O3, Si3N4, BaTiO3, ZnO, NiO, 및 TiO2중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 발수코팅층이 상기 PFOTS, FOTS, 또는 TPS로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스센서
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 하부 표면에 부착된 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서
|
| 8 |
8
나노구조물의 네트워크 구조를 갖는 가스센서를 제조하는 방법으로서, 기판(100)의 상부 표면에 전극(200)을 적층하는 단계; 및 상기 전극 위에 가스 센싱 부재(300)를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 가스 센싱 부재를 형성하는 단계는, 적어도 한 종류의 가스와 접촉시 전기 비저항이 변하는 특성을 갖는 금속 산화물의 나노입자들이 3차원 네트워크 구조로 형성된 수십 마이크로미터 내지 100 마이크로미터 두께의 나노구조물층(310)을 적층하는 단계, 및 상기 나노구조물층을 구성하는 나노입자들의 표면에 발수성을 갖는 발수코팅층을 코팅하는 단계;를 포함하고,상기 나노구조물층을 열증착법에 의해 형성하여, 막대형 또는 다지형의 나노입자들이 상기 전극의 표면에서 상방향으로 뻗어있고 또한 이 나노입자들 사이를 막대형 또는 다지형의 또다른 나노입자들이 연결하도록 형성함으로써 상기 나노구조물층이 나노입자들의 3차원 네트워크 구조를 가지며, 상기 발수코팅층이 발수성을 갖는 실란계 화합물인 PFOTS (1H,1H,2H,2H-Perfluorooctyltriethoxysilane), FOTS (1H,1H,2H,2H-Perfluorooctyltrichlorosilane) 및 TPS (Trimethoxy(propyl)silane) 중 적어도 하나로 이루어지되, 기상증착방법에 의한 자기조립단분자막(SAM)으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 기판이 Si, SiO2, Al2O3, Si3N4, BaTiO3, ZnO, NiO, 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제 8 항에 있어서, 상기 발수코팅층이 상기 PFOTS, FOTS, 또는 TPS로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
제 8 항에 있어서, 상기 기판의 하부 표면에 히터를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
|
