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한 쌍의 전극을 연결하는 전도성 물질로 된 나노와이어를 형성하여 나노센서를 제조하는 방법에 있어서,
부전도체 기판 상부에 한 쌍의 전극을 상호 이격되게 설치하는 전극설치단계와;
상호 이격된 상기 전극 사이에 희생층을 적층하는 희생층 적층단계와;
상기 희생층이 적층된 상기 전극 상부에 개방홀과 전기접촉부가 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층단계와;
전도성물질이 용해된 현탁액에 상기 희생층 및 절연층이 적층된 상기 전극을 침지한 상태로 상기 전극 및 현탁액에 전류를 공급하여 상기 절연층의 개방홀에 전도성 물질이 적층되게 하는 전도성물질 적층단계와;
상기 희생층과 절연층 및 전도성물질이 적층된 상기 전극을 절연층제거액에 침지시켜 상기 절연층을 제거하는 절연층 제거단계; 및,
상기 희생층 및 전도성물질이 적층된 상기 전극을 희생층제거액에 침지시켜 상기 희생층을 제거하는 희생층 제거단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 전극은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd)와 같은 금속류 중 선택된 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 희생층 적층단계에서 상기 희생층은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr) 중 선택된 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 절연층 적층단계에서 상기 절연층의 개방홀은 상기 희생층보다 길이는 길고 폭은 좁게 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항 또는 제 4항에 있어서,
상기 절연층은 포토레지스트(Photoresist), 이빔레지스트(E-beam resist), 유리(SiO2), 질화규소(Si3N4) 중 선택된 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 전도성물질 적층단계에서 상기 현탁액은 전도성 고분자의 모노머 및 염이 용매에 용해된 용액인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 6항에 있어서,
상기 모노머는 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 아세틸렌(C2H2), 피닷(PEDOT), 티오펜(thiophene) 및, 이들의 유도체 즉 CO2H, NH2, SH와 같은 작용기를 가지는 전도성고분자의 모노머 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 6항에 있어서,
상기 염은 염화칼륨(KCl), 염화수소(HCl), pTSA(p-toluenesulfonic acid), NaDBS(dodecylbenzenesulfonic acid sodium salt), CSA(10-camphorsulfonic acid), 과염소산리튬(LiClO4) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 6항에 있어서,
상기 용매는 물, 아세토니트릴(CH3CN) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 전도성물질 적층단계에서 상기 현탁액은 금속이온이 용해된 용액인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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11
제 10항에 있어서,
상기 금속이온은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 절연층 제거단계에서 상기 절연층제거액은 아세톤용액, 불산(HF)용액, 인산(H3PO4)용액 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 희생층 제거단계에서 상기 희생층제거액은 KI/I2, KCN/K3Fe(CN)6, 왕수(70 vol % HNO3 and 30 vol % HCl), (NH4)2Ce(NO3)6 에칭용액 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 희생층 제거단계 후에는 상기 전극과 상기 전도성물질 사이의 접촉저항을 줄일 수 있도록 상기 전극에 상기 전도성물질과 접촉하는 부분에 대해 금속층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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15
제 14항에 있어서,
상기 금속층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 중 선택된 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서 제조방법
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16
제1항 내지 제15항 중 어느 하나의 전도성물질 나노센서 제조방법을 이용하여 제조되는 나노센서에 관한 것으로,
부전도체 기판과;
상기 부전도체 기판 상부에 상호 일정간격 이격되게 설치하는 한 쌍의 전극; 및,
상호 이격되게 설치된 상기 전극을 연결하는 와이어로서, 모노머나 금속류 재질로 형성된 전도성물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서
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제 16항에 있어서,
상기 전극의 상기 전도성물질과 접촉하는 부분에는 상기 전극과 상기 전도성물질 사이의 접촉저항을 줄일 수 있도록 금속층을 더 형성한 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서
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제 16항에 있어서,
상기 전도성물질로서 모노머일 경우에는 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 아세틸렌(C2H2), 피닷(PEDOT), 티오펜(thiophene) 및, 이들의 유도체 즉 CO2H, NH2, SH와 같은 작용기를 가지는 전도성고분자의 모노머 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서
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제 16항에 있어서,
상기 전도성물질로서 금속류일 경우에는 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성물질 나노센서
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