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유연한 절연성 기판;상기 기판의 일면에, 서로 이격 배치되는 박막 형태의 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극부; 및상기 기판의 일면에, 일단은 상기 제1 전극에, 타단은 상기 제2 전극에 연결되는 박막 형태로 형성되며, 변형 (strain) 에 의해 전기저항이 변하는 감지부;를 포함하고,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 표면 리간드가 무기 리간드로 치환된 제1 은 나노입자 (Ag nanoparticle) 로 이루어지고, 상기 감지부는 표면 리간드가 유기 리간드로 치환된 제2 은 나노입자로 이루어져, 상기 감지부의 비저항 및 게이지 팩터 (gauge factor) 가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 비저항 및 게이지 팩터보다 크게 형성되는 스트레인 게이지
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청구항 1에 있어서,상기 무기 리간드는NH4Cl, tetra-n-butyl ammonium bromide (TBAB), 및 NH4SCN 으로 구성된 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 스트레인 게이지
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청구항 1에 있어서,상기 유기 리간드는3-mercaptopropionic acid (MPA), 및 1,2-ethanedithiol (EDT) 으로 구성된 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 스트레인 게이지
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청구항 1에 있어서,상기 감지부에 크랙 (crack) 이 형성되는 스트레인 게이지
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청구항 1에 있어서,상기 전극부는상기 기판의 폭 방향을 따라 배치되는 전도성의 로우 라인, 및 상기 로우 라인의 일측으로부터 빗살 형태로 연장되는 다수의 상기 제1 전극을 각각 포함하고, 상기 기판의 길이 방향을 따라 다수의 열 (row) 을 이루며 배치되는 다수의 하부전극; 및상기 기판의 길이 방향을 따라 배치되는 전도성의 컬럼 라인, 및 상기 컬럼 라인의 일측으로부터 빗살 형태로 연장된 다수의 상기 제2 전극을 각각 포함하고, 상기 로우 라인에 상기 컬럼 라인이 교차되면서 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 일대일로 대응되도록 상기 기판의 폭 방향을 따라 다수의 행 (colum) 을 이루며 배치되는 다수의 상부전극;을 포함하고,교차되는 상기 로우 라인과 상기 컬럼 라인 사이에 배치되는 절연층;을 더 포함하며, 상기 감지부는 다수 개로, 일대일로 대응되는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 서로 연결하여, 멀티 셀 어레이를 구성하는 스트레인 게이지
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기판의 일면에, 서로 이격되도록 제1 은 나노입자를 코팅하여 박막 형태의 제1 전극 및 제2 전극을 생성하는 단계;무기 리간드가 분산된 제1 용액을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 접촉시켜, 상기 제1 은 나노입자의 표면 리간드가 상기 무기 리간드로 치환된 전극부를 형성하는 단계;상기 전극부가 형성된 상기 기판의 일면에, 일단이 상기 제1 전극에 연결되고, 타단이 상기 제2 전극에 연결되도록, 제2 은 나노입자를 코팅하여 박막 형태의 메탈 포일 (metal foil) 을 생성하는 단계; 및유기 리간드가 분산된 제2 용액을 상기 메탈 포일에 접촉시켜, 상기 제2 은 나노입자의 표면 리간드가 상기 유기 리간드로 치환된 감지부를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 감지부의 비저항 및 게이지 팩터 (gauge factor) 가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 비저항 및 게이지 팩터보다 크게 형성되는 스트레인 게이지 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극을 생성하는 단계는,상기 기판의 일면에 포토레지스터를 코팅하는 단계;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 형상에 대응되도록, 코팅된 상기 포토레지스터를 패터닝하는 단계;패터닝된 상기 포토레지스터 상에 상기 제1 은 나노입자를 코팅하는 단계: 및상기 포토레지스터를 리프트 오프 (lift off) 하는 단계;를 포함하는 스트레인 게이지 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극을 생성하는 단계에서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 제1 은 나노입자를 유기용매에 분산시킨 후, 스핀코팅하여 생성되고,상기 메탈 포일을 생성하는 단계에서, 상기 메탈 포일은 상기 제2 은 나노입자를 유기용매에 분산시킨 후, 스핀코팅하여 생성되는 스트레인 게이지 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 메탈 포일을 생성하는 단계는,상기 전극부가 형성된 상기 기판의 일면에 포토레지스터를 코팅하는 단계;상기 메탈 포일 형상에 대응되도록, 코팅된 상기 포토레지스터를 패터닝하는 단계;패터닝된 상기 포토레지스터 상에 상기 제2 은 나노입자를 코팅하는 단계; 및상기 포토레지스터를 리프트 오프하는 단계;를 포함하는 스트레인 게이지 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제1 은 나노입자 및 상기 제2 은 나노입자는질산염, 올레일아민 (oleylamine), 및 올레산 (oleyl acid) 을 혼합하여, 질소분위기 60 ~ 80 ℃에서 80 ~ 100 분간 가열한 후, 자연 냉각하여 생성되는 스트레인 게이지 제조방법
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청구항 6에 있어서,사전 변형을 가하여, 상기 감지부에 크랙을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 스트레인 게이지 제조방법
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