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양자점을 이용한 신틸레이터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디지털 영상진단시스템

  • 기술번호 : KST2018015850
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점을 이용한 신틸레이터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디지털 영상진단시스템이 개시된다. 본 발명의 신틸레이터는 X선의 투과 및 가시광선의 반사가 가능한 금속에 두께 방향으로 복수의 구멍이 형성되는 금속 반사막, 복수의 구멍 내부에 형성되어 복수의 기둥구조를 포함하고, X선을 가시광선으로 변환시켜주는 고분자 필름 및 고분자 필름의 내부에 분산되게 형성되고, 수십 나노초(nsec)의 감쇠 시간(decay time)을 가지는 양자점 반도체를 포함한다.
Int. CL G01T 1/24 (2006.01.01) A61B 6/00 (2006.01.01) H01L 31/08 (2006.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020170066148 (2017.05.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-2002460-0000 (2019.07.16)
공개번호/일자 10-2018-0130264 (2018.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20190723) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오민석 대한민국 서울특별시 서초구
2 한철종 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 유병욱 대한민국 서울특별시 송파구
4 이정노 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0510682-71
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0618910-96
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0618911-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0095529-84
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0514391-64
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0941968-55
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-1055507-62
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1193038-53
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1265622-29
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-1265621-84
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0304603-79
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0556061-74
14 법정기간연장승인서
2019.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0090173-75
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.06.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0637438-16
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0637416-12
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0474343-90
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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X선의 투과 및 가시광선의 반사가 가능한 금속의 두께 방향으로 복수의 구멍을 포함하는 금속 반사막을 형성하는 단계; 및수십 나노초의 감쇠 시간을 가지는 양자점 반도체가 분산된 고분자 용액이 상기 금속 반사막의 구멍 내부로 주입되도록 상기 금속 반사막을 상기 고분자 용액에 함침하거나, 상기 고분자 용액을 상기 금속 반사막에 부어 복수의 기둥구조를 포함하는 고분자 필름을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 금속 반사막을 형성하는 단계는,상기 복수의 구멍이 관통되는 형태의 기둥형상으로 형성된 다공성 구조체와 상기 다공성 구조체 중 X선이 입사되는 방향에 해당하는 일면을 막는 형태로 형성된 보조 구조체를 형성하는 구조체 형성 단계;상기 다공성 구조체 상에 상기 금속을 코팅하여 기둥 금속 반사막을 형성하고 상기 보조 구조체 상에 상기 금속을 코팅하여 보조 금속 반사막을 형성하는 반사막 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 신틸레이터의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 양자점 반도체는,카드뮴(Cd), 수은(Hg), 납(Pb) 및 텔루륨(Te) 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 신틸레이터의 제조방법
8 8
제 6항에 있어서,상기 구조체 형성 단계는,상기 복수의 구멍이 상기 X선이 입사되는 방향에서 반대 방향으로 갈수록 크기가 커지도록 리소그래픽(lithography) 공정 및 식각 공정을 하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 신틸레이터의 제조방법
9 9
제 6항에 있어서,상기 구조체 형성 단계는,기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상면에 감광성 고분자 물질을 코팅하는 단계; 및포토리소그래픽(photo-lithography) 공정을 이용하여 상기 일면이 막히도록 상기 고분자 물질에 상기 복수의 구멍을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 반사막 형성 단계는,상기 복수의 구멍이 형성된 고분자 물질에 상기 금속을 코팅하는 단계; 및상기 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 신틸레이터의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 고분자 필름을 형성하는 단계는,상기 복수의 구멍 내부로 상기 고분자 용액이 채워지면 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점을 이용한 신틸레이터의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업부 전자부품연구원 국제공동기술개발사업 (RCMS) 유연한 디지털 엑스선 영상 진단 시스템