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집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리에 있어서, 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 두 개의 채널층들; 상기 적어도 두 개의 채널층들을 각각 둘러싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 두 개의 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층들; 및 상기 적어도 두 개의 ONO층들 각각에 대해 수직적으로 연결되도록 적층되는 복수의 전극층들을 포함하고, 상기 적어도 두 개의 ONO층들은, 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 적어도 일부분에서 오버랩되도록 형성되는, 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 두 개의 ONO층들은, 동일한 수평면 상 적어도 일부분에서 오버랩되도록 형성되는, 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 복수의 전극층들과 교대로 배치되고, 상기 적어도 두 개의 ONO층들 각각에 대해 수직적으로 연결되도록 적층되는 복수의 층간 절연층들을 더 포함하는 3차원 플래시 메모리
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집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리의 제조 방법에 있어서,기판 상에, 복수의 층간 절연층들 및 복수의 전극층들이 교대로 적층되는 몰드 구조체를 준비하는 단계; 상기 몰드 구조체를 관통하여 상기 기판을 노출시키는 적어도 두 개의 스트링 홀(String Hole)들을 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들 내에 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)를 증착하여, 내부에 수직 홀을 각각 포함하는 적어도 두 개의 ONO층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 적어도 두 개의 ONO층들 각각의 수직 홀에 적어도 두 개의 채널층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들을 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 두 개의 채널층들이 상기 일 방향으로 연장 형성될 때 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간의 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 적어도 일부분에서 오버랩되도록, 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계이며, 상기 적어도 두 개의 ONO층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 두 개의 채널층들이 상기 일 방향으로 연장 형성될 때 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간의 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 상기 적어도 두 개의 ONO층들이 적어도 일부분에서 오버랩되도록, 상기 적어도 두 개의 ONO층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인, 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리의 제조 방법에 있어서,기판 상에, 복수의 희생층들 및 복수의 층간 절연층들이 교대로 적층되는 몰드 구조체를 준비하는 단계; 상기 몰드 구조체를 관통하여 상기 기판을 노출시키는 적어도 두 개의 스트링 홀(String Hole)들을 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들 내에 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)를 증착하여, 내부에 수직 홀을 각각 포함하는 적어도 두 개의 ONO층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 두 개의 ONO층들 각각의 수직 홀에 적어도 두 개의 채널층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간에 복수의 전극층들을 충진하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들을 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 두 개의 채널층들이 상기 일 방향으로 연장 형성될 때 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간의 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 적어도 일부분에서 오버랩되도록, 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계이며, 상기 적어도 두 개의 ONO층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 두 개의 채널층들이 상기 일 방향으로 연장 형성될 때 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간의 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 상기 적어도 두 개의 ONO층들이 적어도 일부분에서 오버랩되도록, 상기 적어도 두 개의 ONO층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인, 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리에 있어서, 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 두 개의 채널층들; 상기 적어도 두 개의 채널층들을 각각 둘러싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 두 개의 전하 저장층들; 및 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들 각각에 대해 수직적으로 연결되도록 적층되는 복수의 전극층들을 포함하고, 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들은, 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 적어도 일부분에서 오버랩되도록 형성되는, 3차원 플래시 메모리
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집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리의 제조 방법에 있어서,기판 상에, 복수의 층간 절연층들 및 복수의 전극층들이 교대로 적층되는 몰드 구조체를 준비하는 단계; 상기 몰드 구조체를 관통하여 상기 기판을 노출시키는 적어도 두 개의 스트링 홀(String Hole)들을 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들 내에 전하 저장 물질을 증착하여, 내부에 수직 홀을 각각 포함하는 적어도 두 개의 전하 저장층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들 각각의 수직 홀에 적어도 두 개의 채널층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들을 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 두 개의 채널층들이 상기 일 방향으로 연장 형성될 때 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간의 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 적어도 일부분에서 오버랩되도록, 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계이며, 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 두 개의 채널층들이 상기 일 방향으로 연장 형성될 때 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간의 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들이 적어도 일부분에서 오버랩되도록, 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인, 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리의 제조 방법에 있어서,기판 상에, 복수의 희생층들 및 복수의 층간 절연층들이 교대로 적층되는 몰드 구조체를 준비하는 단계; 상기 몰드 구조체를 관통하여 상기 기판을 노출시키는 적어도 두 개의 스트링 홀(String Hole)들을 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들 내에 전하 저장 물질을 증착하여, 내부에 수직 홀을 각각 포함하는 적어도 두 개의 전하 저장층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들 각각의 수직 홀에 적어도 두 개의 채널층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간에 복수의 전극층들을 충진하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들을 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 두 개의 채널층들이 상기 일 방향으로 연장 형성될 때 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간의 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 적어도 일부분에서 오버랩되도록, 상기 적어도 두 개의 스트링 홀들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계이며, 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 두 개의 채널층들이 상기 일 방향으로 연장 형성될 때 상기 적어도 두 개의 채널층들 각각의 표면간의 거리가 10nm 내지 40nm 사이가 될 수 있게 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들이 적어도 일부분에서 오버랩되도록, 상기 적어도 두 개의 전하 저장층들을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계인, 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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