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기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층; 상기 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 전극층들; 및 상기 복수의 전극층들에 대응하도록 상기 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 질화물층 세트들-상기 복수의 질화물층 세트들 각각은 상기 복수의 전극층들 각각을 사이에 두고 상부에 배치되는 상부 질화물층 및 하부에 배치되는 하부 질화물층으로 구성됨-을 포함하고, 상기 복수의 질화물층 세트들 각각에서 상기 상부 질화물층 또는 상기 하부 질화물층 중 어느 하나의 질화물층은, 상기 복수의 전극층들 중 대응하는 전극층에 인가되는 전압에 의해 상기 채널층으로부터 이동되는 전하를 저장하는 전하 저장층으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 복수의 질화물층 세트들 각각에서 상기 상부 질화물층 또는 상기 하부 질화물층 중 상기 어느 하나의 질화물층을 제외한 나머지 하나의 질화물층은, 상기 복수의 질화물층 세트들 중 인접한 질화물층 세트와의 간섭 또는 상기 복수의 전극층들 중 상기 대응하는 전극층을 제외한 인접하는 전극층과의 간섭을 차단하는 간섭 차단층으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제2항에 있어서,상기 나머지 하나의 질화물층은, 상기 대응하는 전극층에 인가되는 전압에 의해 상기 채널층으로부터 이동되는 전하가 저장됨에 따라 액티브 배리어로 동작하여, 상기 인접한 질화물층 세트와의 간섭 또는 상기 인접하는 전극층과의 간섭을 차단하는 간섭 차단층으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 복수의 질화물층 세트들 각각에서 상기 상부 질화물층 및 상기 하부 질화물층 각각은, 상기 대응하는 전극층과의 거리가 상기 복수의 질화물층 세트들 중 인접한 질화물층 세트에 포함되는 상부 질화물층 또는 하부 질화물층 중 어느 하나의 질화물층과의 거리보다 더 가깝도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 복수의 질화물층 세트들 각각에서 상기 상부 질화물층 및 상기 하부 질화물층 각각은, 저장된 전하가 상기 대응하는 전극층으로 방출 가능하도록 상기 대응하는 전극층과 일정 거리 이내에 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 채널층을 감싸도록 수직 방향으로 연장 형성되어 상기 복수의 전극층들 및 상기 복수의 질화물층 세트들과 맞닿는 터널링 절연막을 더 포함하는 3차원 플래시 메모리
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제6항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 채널층으로부터 상기 복수의 전극층들로 전하가 이동되는 것을 방지하기 위하여, 상기 터널링 절연막과 상기 복수의 전극층들 사이에 형성되는 복수의 산화물층들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 복수의 전극층들 사이에 교번하여 개재되며 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 층간 절연층들을 더 포함하는 3차원 플래시 메모리
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기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층; 상기 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 전극층들; 및 상기 복수의 전극층들에 대응하도록 상기 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 질화물층 세트들-상기 복수의 질화물층 세트들 각각은 상기 복수의 전극층들 각각을 사이에 두고 상부에 배치되는 상부 질화물층 및 하부에 배치되는 하부 질화물층으로 구성됨-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법에 있어서, 상기 복수의 전극층들 중 프로그램 동작의 대상이 되는 질화물층 세트에 대응하는 전극층에 프로그램 전압을 인가하는 단계; 및 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 질화물층 세트에서 상기 상부 질화물층 또는 상기 하부 질화물층 중 어느 하나의 질화물층을 상기 프로그램 전압에 의해 상기 채널층으로부터 이동되는 전하를 저장하는 전하 저장층으로 사용함으로써, 상기 어느 하나의 질화물층에 대한 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제9항에 있어서,상기 수행하는 단계는, 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 질화물층 세트에서 상기 상부 질화물층 또는 상기 하부 질화물층 중 상기 어느 하나의 질화물층을 제외한 나머지 하나의 질화물층을 상기 복수의 질화물층 세트들 중 인접한 질화물층 세트와의 간섭 또는 상기 복수의 전극층들 중 상기 대응하는 전극층을 제외한 인접하는 전극층과의 간섭을 차단하는 간섭 차단층으로 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제9항에 있어서,상기 수행하는 단계는, 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 질화물층 세트에서 상기 상부 질화물층 및 상기 하부 질화물층 각각이 상기 대응하는 전극층과 일정 거리 이내에 형성되는 구조를 통해, 상기 프로그램 동작에 의해 저장된 전하를 상기 대응하는 전극층으로 방출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 동작 방법
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기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층; 상기 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 희생층들; 및 상기 복수의 희생층들에 대응하도록 상기 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 질화물층 세트들-상기 복수의 질화물층 세트들 각각은 상기 복수의 희생층들 각각을 사이에 두고 상부에 배치되는 상부 질화물층 및 하부에 배치되는 하부 질화물층으로 구성됨-을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체에서 상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간에 복수의 전극층들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 희생층들 각각은, 상기 복수의 질화물층 세트들과 다른 식각비를 갖는 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 반도체 구조체 내 상기 복수의 질화물층 세트들 각각에서 상기 상부 질화물층 및 상기 하부 질화물층 각각은, 상기 복수의 희생층들 중 대응하는 희생층과의 거리가 상기 복수의 질화물층 세트들 중 인접한 질화물층 세트에 포함되는 상부 질화물층 또는 하부 질화물층 중 어느 하나의 질화물층과의 거리보다 더 가깝도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 반도체 구조체 내 상기 복수의 질화물층 세트들 각각에서 상기 상부 질화물층 및 상기 하부 질화물층 각각은, 상기 제조 방법에 의해 제조된 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작에서 저장된 전하가 상기 복수의 전극층들 중 대응하는 전극층으로 방출 가능하도록 상기 대응하는 전극층이 형성될 공간에 해당되는 희생층과 일정 거리 이내에 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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