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배리어를 구비한 열전소자의 제조 방법에 있어서,접속 패드(11) 및 패턴이 구비되는 기판(10)을 구비하는 제 1단계(S10);와상기의 기판(10) 상부에 n-type 반도체(20)를 증착하는 제 2단계(S20);와상기의 기판(10) 상부에 p-type 반도체(30)를 증착하는 제 3단계(S30);와상기의 n-type 반도체(20) 및 p-type 반도체(30) 상측에 접착층(Glue layer, 40)을 증착하는 제 4단계(S40);와상기의 접착층(40) 상측에 배리어(Barrier, 50)를 증착하는 제 5단계(S50);와상기의 접착층(40)과 배리어(50)가 증착된 n-type 반도체(20)와 p-type 반도체(30)가 연결되도록 전극(60)을 증착하는 제 6단계(S60); 및전극(60) 증착 후, 230 ~ 270℃로 100 ~ 140분 동안 열처리하는 제 7단계(S70);로 구성되고,상기 제 2단계(S20), 3단계(S30)에서 각각 증착되는 n-type 반도체(20)와 p-type 반도체(30)는 각각 기판(10)에 수평으로 구비되며, 상기의 제 2단계(S20), 3단계(S30)는 각각 증발(Evaporator) 증착을 이용하여 n-type, p-type 반도체(20, 30)의 소재를 9 ~ 11㎛로 증착하여 후막을 형성하고,상기의 n-type 반도체(20)는 Bi2Te3 소재이며, p-type 반도체(30)는 Sb2Te3 소재이고, 상기의 배리어(50)는 Au소재이며, 상기의 전극(60)은 Cu소재로 구비되며,상기 배리어(50)의 두께는 1 ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 배리어를 구비한 열전소자의 제조 방법
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제 1항의 배리어를 구비한 열전소자의 제조 방법으로 제조되되,Bi2Te3소재이며, 두께가 9 ~ 11㎛인 n-type 반도체(20)와 Sb2Te3소재이며, 두께가 9 ~ 11㎛인 p-type 반도체(30)와 두께가 1 ~ 3㎛인 Au소재의 배리어(50)와 Cu소재의 전극(60)으로 구성되며,상기의 n-type 반도체(20)와 p-type 반도체(30)는 복수 개가 기판(10)에 수평하게 방사형으로 교대 배치되며, 복수 개의 n-type 반도체(20)와 p-type 반도체(30) 중 이웃하여 배치되는 n-type 반도체(20)와 p-type 반도체(30)의 각각 하나의 외측단은 기판(10)에 구비된 접속 패드에 연결되도록 전극(60) 형성되는 것을 특징으로 하는 배리어를 구비한 열전소자
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