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실리콘 도핑 그래핀을 포함하는 열전재료 및 이의 제조 방법(THERMOELECTRIC MATERIAL COMPRISING SILICON DOPED GRAPHENE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016007360
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 열전재료는 실리콘이 도핑된 그래핀(graphene) 층을 포함하며, 이때 실리콘은 그래핀 층을 구성하는 탄소 원자 중 일부를 치환하도록 그래핀 층 내에 위치할 수 있다. 이상과 같이 열전재료를 구성함으로써, 그래핀의 전기전도도 및 제벡계수(Seebeck coefficient)를 거의 변화시키지 않고 열전도도만을 큰 폭으로 감소시킬 수 있으며, 그 결과 열전성능지수(thermoelectric figure of merit; ZT)를 형상시킬 수 있다. 예컨대, 상기 열전재료의 열전도도는 탄소 원자만으로 이루어진 순수한 그래핀의 1/100 이하일 수 있다. 또한, 상기 열전재료의 열전성능지수는 2.0 이상일 수도 있다.
Int. CL H01L 35/22 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/22(2013.01) H01L 35/22(2013.01) H01L 35/22(2013.01) H01L 35/22(2013.01)
출원번호/일자 1020140113365 (2014.08.28)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0025900 (2016.03.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준식 대한민국 서울특별시 광진구
2 이창혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0823677-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0023070-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0651713-94
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1139033-66
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1139040-86
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315751-61
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0629046-75
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0629034-27
12 등록결정서
Decision to grant
2016.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0801880-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘이 도핑된 그래핀 층을 포함하는 열전재료로서,상기 실리콘은 상기 그래핀 층을 구성하는 탄소 원자 중 일부를 치환하도록 상기 그래핀 층 내에 위치하며,상기 열전재료의 열전성능지수는 상기 실리콘의 도핑 농도, 상기 열전재료의 전자이동도 및 상기 열전재료의 전하농도에 기초하여 결정되고,상기 실리콘의 도핑 농도는 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 열전재료의 열전도도는 탄소 원자만으로 이루어진 그래핀의 1/100 이하인 것을 특징으로 하는 열전재료
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 열전재료의 열전성능지수는 상기 그래핀 층에 대한 실리콘의 도핑 농도가 증가할수록 증가되는 것을 특징으로 하는 열전재료
5 5
기판상에, 실리콘이 도핑된 그래핀 층을 형성하는 단계를 포함하는 열전재료의 제조 방법으로서,상기 실리콘이 도핑된 그래핀 층은, 상기 그래핀 층을 구성하는 탄소 원자 중 일부가 실리콘으로 치환되어 이루어지며,상기 열전재료의 열전성능지수는 상기 실리콘의 도핑 농도, 상기 열전재료의 전자이동도 및 상기 열전재료의 전하농도에 기초하여 결정되고,상기 실리콘의 도핑 농도는 0
6 6
제 5항에 있어서,상기 실리콘이 도핑된 그래핀 층을 형성하는 단계는, 그래핀의 합성과 동시에 그래핀을 구성하는 탄소 원자 중 일부를 실리콘으로 치환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전재료의 제조 방법
7 7
제 5항에 있어서,상기 열전재료의 열전성능지수는 상기 그래핀 층에 대한 실리콘의 도핑 농도가 증가할수록 증가되는 것을 특징으로 하는 열전재료의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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국가 R&D 정보가 없습니다.