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온칩 열전소자를 구비한 메모리 칩 패키지

  • 기술번호 : KST2019001093
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 온칩 열전소자를 구비한 메모리 칩 패키지에 관한 것으로 보다 상세하게는 접속 패드가 형성되는 기판과 상기의 접속 패드와 연결되는 적어도 하나 이상의 칩 패드와 상측에 패시베이션이 구비되어 상기의 기판에 실장되는 메모리 칩과 상기의 메모리 칩 상측에 구비되는 복수 개의 p형 반도체 및 n형 반도체가 전극에 의하여 직렬 연결되되, p형 반도체 및 n형 반도체의 바이어스 전극이 각각 상기의 칩 패드와 연결되는 열전소자로 구성되어 실장성이 향상되며, 방사형으로 메모리 칩의 집중된 열을 보다 효율적으로 냉각시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 25/16 (2006.01.01) H01L 25/18 (2006.01.01) H01L 25/07 (2006.01.01) H01L 35/32 (2006.01.01) H01L 35/16 (2006.01.01) H01L 35/18 (2006.01.01)
CPC H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01)
출원번호/일자 1020170102356 (2017.08.11)
출원인 서울대학교산학협력단, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1970956-0000 (2019.04.16)
공개번호/일자 10-2019-0017464 (2019.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20190422) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.11)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주영창 대한민국 서울특별시 강남구
2 정민우 대한민국 대전광역시 유성구
3 이후정 대한민국 경기도 시흥시 중심상가로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인대한 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 부봉빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0777470-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0039036-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0589581-78
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1065375-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1065376-56
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0146164-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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온칩 열전소자를 구비한 메모리 칩 패키지에 있어서,접속 패드(11)가 형성되는 기판(10);과상기 접속 패드(11)와 연결되는 적어도 하나 이상의 칩 패드(21)와 상측에 패시베이션(passivation, 22)이 구비되어 상기 기판(10)에 실장되는 메모리 칩(20);과상기 메모리 칩(20) 상측에 구비되는 복수 개의 p형 반도체(31) 및 n형 반도체(32)가 전극(33)에 의하여 직렬 연결되되, p형 반도체(31) 및 n형 반도체(32)의 바이어스 전극(33a)이 각각 상기 칩 패드(21)와 연결되는 열전소자(30);로 구성되고,상기 p형 반도체(31)와 n형 반도체(32)는 방사형으로 교대 배치되어 구성되되, 상기 p형 반도체(31)와 n형 반도체(32)는 내 측에서 외 측으로 갈수록 면적이 커지게 이루어지며,상기 기판(10) 하부에는 솔더 볼(solder ball, 12)이 구비되고, 상기 메모리 칩(20) 및 열전소자(30) 상측에는 몰드 콤파운드(mold compound, 40)에 의하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 온칩 열전소자를 구비한 메모리 칩 패키지
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삭제
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제 1항에 있어서,상기의 p형 반도체(31)는 Sb2Te3를, n형 반도체(32)는 Bi2Te3를 박막 증착하여 형성되되 두께는 각각 9 ~ 10㎛인 것을 특징으로 하는 온칩 열전소자를 구비한 메모리 칩 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 모바일 부품의 수평냉각을 통한 에너지 저감 기술 개발