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하기 화학식 1로 표시되며, A3+ 및 Yb3+가 도핑된 NaYF4 박막으로서,상기 NaYF4 박막은, 소듐 화합물, A 화합물, 이트륨 화합물 및 이터븀 화합물을 삼불화 아세트산, 폴리아크릴산 및 2-프로판올과 혼합하여 제1 혼합 용액을 형성하고, 상기 제1 혼합 용액을 기판에 코팅함으로써 제조된 것이며; 표면 거칠기 값(Ra)이 3 nm 이상 10 nm 이하인 것을 특징으로 하는 NaYF4 박막:[화학식 1]상기 A는 Er 또는 Tm이고,상기 x는 0
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제1항에 있어서,상기 박막의 두께는 100 nm 이상 400 nm 이하인 것을 특징으로 하는 NaYF4 박막
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하기 화학식 1로 표시되며, A3+ 및 Yb3+가 도핑된 NaYF4 적층체로서,상기 NaYF4 적층체는, 소듐 화합물, A 화합물, 이트륨 화합물 및 이터 븀 화합물을 삼불화 아세트산, 폴리아크릴산 및 2-프로판올과 혼합하 여 제1 혼합 용액을 형성하고, 상기 제1 혼합 용액을 기판에 코팅함으로써 제조된 것이며;표면 거칠기 값(Ra)이 3 nm 이상 10 nm 이하인 NaYF4 박막이 둘 이상 적층된 것을 특징으로 하는 NaYF4 적층체:[화학식 1]상기 A는 Er 또는 Tm이고,상기 x는 0
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하기 화학식 1로 표시되며, A3+ 및 Yb3+가 도핑된 NaYF4의 패턴으로서,상기 NaYF4의 패턴은, 소듐 화합물, A 화합물, 이트륨 화합물 및 이터 븀 화합물을 삼불화 아세트산, 폴리아크릴산 및 2-프로판올과 혼합하 여 제1 혼합 용액을 형성하고, 상기 제1 혼합 용액을 기판 위에 준비시키고, 상기 제1 혼합 용액이 준비된 기판에 기둥 형태 패턴이 형성된 스탬프를 가압하여 패턴을 형성함으로써 제조된 것이며;상기 패턴은 기둥 형태이고, 높이 및 직경이 나노 사이즈인 것을 특징으로 하는 NaYF4 패턴:[화학식 1]상기 A는 Er 또는 Tm이고,상기 x는 0
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소듐 화합물, A 화합물, 이트륨 화합물 및 이터븀 화합물을 삼불화 아세트산, 폴리아크릴산 및 2-프로판올과 혼합하여 제1 혼합 용액을 형성하는 단계; 및상기 제1 혼합 용액을 기판에 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하기 화학식 1로 표시되며, A3+ 및 Yb3+가 도핑된 NaYF4 박막 제조방법:[화학식 1]상기 A는 Er 또는 Tm이고,상기 x는 0
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소듐 화합물, A 화합물, 이트륨 화합물 및 이터븀 화합물을 삼불화 아세트산, 폴리아크릴산 및 2-프로판올과 혼합하여 제1 혼합 용액을 형성하는 단계; 및상기 제1 혼합 용액을 기판에 코팅하는 단계;를 두 번 이상 반복하는 것을 특징으로 하는, 하기 화학식 1로 표시되며, A3+ 및 Yb3+가 도핑된 NaYF4 적층체 제조방법:[화학식 1]상기 A는 Er 또는 Tm이고,상기 x는 0
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소듐 화합물, A 화합물, 이트륨 화합물 및 이터븀 화합물을 삼불화 아세트산, 폴리아크릴산 및 2-프로판올과 혼합하여 제1 혼합 용액을 형성하는 단계;상기 제1 혼합 용액을 기판 위에 준비시키는 단계; 및상기 제1 혼합 용액이 준비된 기판에 기둥 형태 패턴이 형성된 스탬프를 가압하여 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 하기 화학식 1로 표시되며, A3+ 및 Yb3+가 도핑된 NaYF4 패턴 제조방법:[화학식 1]상기 A는 Er 또는 Tm이고,상기 x는 0
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