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고분자 매트릭스 및 상기 고분자 매트릭스 내부에 분산되고 자외선을 흡수하여 가시광선을 방사하는 변환 물질을 포함하는 적외선 및 자외선의 흡수 방사층; 및상기 적외선 및 자외선의 흡수 방사층의 하부에 배치되고, 가시광선을 반사하는 가시광 반사층을 포함하고, 상기 변환 물질은 가시광선에 대응되는 밴드갭 에너지를 갖는 제1 반도체 물질로 형성된 코어 및 상기 코어의 적어도 일부분을 피복하고, 자외선에 대응되는 밴드갭 에너지를 갖는 제2 반도체 물질로 형성된 쉘을 포함하는 코어쉘 구조의 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제1항에 있어서, 상기 쉘의 부피가 상기 코어의 부피보다 큰 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제3항에 있어서, 상기 코어의 직경은 0
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제1항에 있어서, 상기 코어는 CdSe, InP, CuInS2, PbS, CdTe, CZTS 및 CIGS로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 상기 제1 반도체 물질로 형성되고,상기 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnO 및 CdSe로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 상기 제2 반도체 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제1항에 있어서, 상기 적외선 및 자외선의 흡수 방사층은 상기 코어쉘 구조의 나노입자를 0
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제1항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 적외선을 흡수하여 열방사할 수 있는 고분자 재료로 형성된 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제7항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 폴리디메틸실록산(PDMS), 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(DPHA), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리비닐리덴 디플루오라이드(PVDF), 폴리메틸펜텐(TPX) 및 폴리이미드(PI)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 재료로 형성된 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제1항에 있어서, 상기 적외선 및 자외선의 흡수 방사층은 상기 고분자 매트릭스 내부에 분산된 무기 적외선 흡수 방사 입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제9항에 있어서, 상기 무기 적외선 흡수 방사 입자는,알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)의 금속 입자; 주석산화인듐(ITO), 안티몬 산화 주석(ATO), 실리콘산화물(SiO2), 티타늄산화물(TiO2), 탈륨산화물(Ta2O5), 지르코늄 산화물(ZrO2) 또는 알루미늄 산화물(Al2O3)의 금속산화물 입자; 또는탄소나노튜브, 그래핀 플레이크 또는 키친블랙의 탄소계 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제1항에 있어서, 상기 가시광 반사층은 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti) 및 백금(Pt)으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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서로 적층된 자외선 흡수 방사층과 적외선 흡수 방사층; 및 상기 자외선 흡수 방사층과 적외선 흡수 방사층의 적층 구조체의 일측에 배치되고, 가시광을 반사하는 가시광 반사층을 포함하고,상기 자외선 흡수 방사층은 제1 고분자 재료로 형성된 제1 매트릭스 및 이의 내부에 분산되고 자외선을 흡수하여 가시광선을 방사하는 변환 물질을 포함하고,상기 변환 물질은 가시광선에 대응되는 밴드갭 에너지를 갖는 제1 반도체 물질로 형성된 코어 및 상기 코어의 적어도 일부분을 피복하고, 자외선에 대응되는 밴드갭 에너지를 갖는 제2 반도체 물질로 형성된 쉘을 포함하는 코어쉘 구조의 나노입자를 포함하며,상기 적외선 흡수 방사층은 제2 고분자 재료로 형성된 제2 매트릭스 및 이의 내부에 분산된 무기 적외선 흡수 방사 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는,냉각 구조체
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제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2 고분자 매트릭스 각각은 서로 독립적으로 폴리디메틸실록산(PDMS), 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(DPHA), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리비닐리덴 디플루오라이드(PVDF), 폴리메틸펜텐(TPX) 및 폴리이미드(PI)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 재료로 형성된 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제12항에 있어서, 상기 변환 물질은 가시광선에 대응되는 밴드갭 에너지를 갖는 제1 반도체 물질로 형성된 코어 및 상기 코어의 적어도 일부분을 피복하고, 자외선에 대응되는 밴드갭 에너지를 갖는 제2 반도체 물질로 형성된 쉘을 포함하는 코어쉘 구조의 나노입자를 포함하고,상기 쉘의 부피가 상기 코어의 부피보다 큰 것을 특징으로 하는,냉각 구조체
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제12항에 있어서, 상기 무기 적외선 흡수 방사 입자는,알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 티타늄(Ti)의 금속 입자; 주석산화인듐(ITO), 안티몬 산화 주석(ATO), 실리콘산화물(SiO2), 티타늄산화물(TiO2), 탈륨산화물(Ta2O5), 지르코늄 산화물(ZrO2) 또는 알루미늄 산화물(Al2O3)의 금속산화물 입자; 또는탄소나노튜브, 그래핀 플레이크 또는 키친블랙의 탄소계 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제12항에 있어서, 상기 적외선 흡수 방사층은 상기 자외선 흡수 방사층과 상기 가시광 반사층 사이에 배치된 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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제12항에 있어서, 상기 자외선 흡수 방사층은 상기 적외선 흡수 방사층과 상기 가시광 반사층 사이에 배치된 것을 특징으로 하는, 냉각 구조체
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