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금속 이온 잉크의 온도 제어된 직접적 임프린팅을 통한 투명 전극 구조물 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019001756
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 이온 잉크의 직접적 임프린팅을 통한 투명 전극 구조물 제조 방법에 관한 것으로서, 금속 이온 잉크의 용매 증발 가열 온도와 금속 이온의 열적 환원 가열 온도를 구분하는 2단 가열 방식을 직접적 임프린팅 공정에 적용함으로써, 용매 증발 가열 단계를 통해 전극 구조물의 투명도를 높일 수 있도록 함과 아울러 열적 환원 가열 단계를 통해 동일한 크기에 구조물에 대해서 내부 다공성을 감소시킬 수 있고 그로 인한 낮은 비저항을 가지는 구조물의 제작이 가능하도록 하는 효과를 갖는다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 13/16 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020170111280 (2017.08.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0024358 (2019.03.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.31)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성형진 대한민국 대전광역시 유성구
2 오용석 대한민국 대전광역시 유성구
3 박인규 대한민국 대전광역시 유성구
4 최동윤 대한민국 대전광역시 유성구
5 윤경수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0847713-13
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0554391-91
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1015866-11
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1076246-87
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1076247-22
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0227112-23
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 이온 잉크가 공급된 기판 상에 패턴 그루브가 형성된 몰드를 올려 적층시키는 몰드 적층 단계;상기 기판 상에 공급된 상기 금속 이온 잉크가 상기 몰드의 패턴 그루브 내에 채워지게 상기 몰드를 눌러 가압한 상태로 상기 금속 이온 잉크 중에 포함된 용매를 증발시키도록 가열하는 용매 증발 가열 단계;상기 몰드를 계속 눌러 가압한 상태로 상기 금속 이온 잉크의 열적 환원을 위해 상기 용매 증발 온도 보다 높은 온도로 가열하는 열적 환원 가열 단계; 및상기 몰드 분리 후 상기 기판 상에 열적 환원된 상태로 패턴닝된 전극 구조물을 소결시키도록 가열하는 소결 단계;를 포함하는 금속 이온 잉크의 온도 제어된 직접적 임프린팅을 통한 투명 전극 구조물 제조 방법
2 2
제1항에서, 상기 금속 이온 잉크는 은 이온 잉크를 포함하는 금속 이온 잉크의 온도 제어된 직접적 임프린팅을 통한 투명 전극 구조물 제조 방법
3 3
제1항에서, 상기 용매 증발 가열 단계에서, 용매 증발 가열 온도는 50℃이하로 이루어지는 금속 이온 잉크의 온도 제어된 직접적 임프린팅을 통한 투명 전극 구조물 제조 방법
4 4
제1항에서, 상기 열적 환원 가열 단계에서,열적 환원 가열 온도는 60℃내지 100℃범위 이내로 이루어지는 금속 이온 잉크의 온도 제어된 직접적 임프린팅을 통한 투명 전극 구조물 제조 방법
5 5
제1항에서, 상기 소결 단계에서, 소결을 위한 가열 온도는 150℃ 내지 300℃ 범위 이내로 이루어지는 금속 이온 잉크의 온도 제어된 직접적 임프린팅을 통한 투명 전극 구조물 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업, 기초연구기반구축사업, 학문후속세대양성사업(리서치펠로우) 고성능, 저다공성, 플렉서블, 마이크로/나노스케일 메탈 그리드 투명전극 제작을 위한 은 이온 잉크의 온도-제어 직접적 임프린팅 공정 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업, 리더연구자지원사업, 창의연구지원사업 옵토-유체-연성체 상호작용 연구단
3 미래창조과학부 한국과학기술원 원천기술개발사업, 나노.소재기술개발사업, 선행공정,플랫폼기술연구개발사업 실리콘 나노선 배열 구조를 활용한 저전력,다중 환경센서 원천 기술 개발