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광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019001936
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 빛을 한 방향으로만 통과시키는 광 다이오드 장치 및 이를 제조하는 방법을 제공한다. 광 다이오드 장치는 제1 바(bar)를 포함하는 제1 메타물질 구조체 및 제1 바와 수직 방향으로 배치된 제2 바(bar)를 포함하는 제2 메타물질 구조체를 포함하고, 제1 바 및 제2 바는 빛의 진행 방향으로 이격되어 있고, 제1 바 및 제2 바는 빛의 진행 방향에서 바라보았을 때 적어도 일부가 중첩된다.
Int. CL G02B 6/122 (2006.01.01) G02B 1/00 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01)
출원번호/일자 1020170111323 (2017.08.31)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2026072-0000 (2019.09.25)
공개번호/일자 10-2019-0024376 (2019.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20191104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.31)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민경 대한민국 부산광역시 동래구
2 윤관호 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김인기 대한민국 경기도 김포시 김포한강*로
4 노준석 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인한성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0847944-42
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0858701-12
3 보정요구서
Request for Amendment		 2017.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0128270-51
4 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2017.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0885582-08
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0149608-93
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0878891-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.02.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0178025-74
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0178038-67
10 등록결정서
Decision to grant		 2019.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0442654-90
11 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5032349-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광 다이오드에 있어서,제1 바(bar)를 포함하는 제1 메타물질 구조체; 및상기 제1 바와 수직 방향으로 배치된 제2 바(bar)를 포함하는 제2 메타물질 구조체를 포함하고,상기 제1 바 및 상기 제2 바는 이격되어 있고, 상기 제1 바 및 상기 제2 바는 빛의 진행 방향에서 바라보았을 때 적어도 일부가 중첩되며,상기 제1 바는 양측 단부에서 연장되는 제1 암 및 제2 암을 포함하며, 상기 제1 암 및 상기 제2 암은 상기 제1 바를 기준으로 서로 반대방향으로 형성되고,상기 제2 바는 양측 단부에서 연장되는 제3 암 및 제4 암을 포함하며, 상기 제3 암 및 상기 제4 암은 상기 제2 바를 기준으로 서로 반대방향으로 형성되는 것인, 광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 암 및 상기 제2 암은 상기 제1 바에 수직으로 형성되고, 상기 제3 암 및 상기 제4 암은 상기 제2 바에 수직으로 형성되는 것인, 광 다이오드
4 4
제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 메타물질 구조체 및 상기 제2 메타물질 구조체는 금(Au)을 포함하는 것인, 광 다이오드
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 메타물질 구조체 및 상기 제2 메타물질 구조체는 실리콘 육면체 안에 내장되어 있는 것인, 광 다이오드
6 6
제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 빛의 진행 방향에서 바라보았을 때 상기 제1 메타물질 구조체의 상기 제1 바의 중심과 상기 제2 메타물질 구조체의 상기 제2 바의 중심이 중첩되는 것인, 광 다이오드
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 바 및 상기 제2 바의 길이는 300nm 내지 400nm이고, 상기 제1 바 및 상기 제2 바의 이격 거리는 180nm 내지 220nm인 것인, 광 다이오드
8 8
제3항에 있어서, 상기 제1 바 및 상기 제2 바의 길이는 300nm 내지 400nm이고, 상기 제1 바 및 상기 제2 바의 이격 거리는 180nm 내지 220nm이고, 상기 제1 암 및 제2 암의 길이는 100nm 내지 200nm이고, 상기 제1 메타물질 구조체 및 상기 제2 메타물질 구조체 각각의 폭(width)은 40nm 내지 60nm이며, 상기 제1 암, 상기 제2암, 상기 제3 암 및 상기 제4 암 단면의 긴 길이 방향인 세로 길이는 50nm 내지 70nm인 것인, 광 다이오드
9 9
제5항에 있어서, 상기 실리콘 육면체는 정육면체의 형상을 가지며, 상기 실리콘 육면체의 한 변의 길이는 400nm 내지 600nm 인 것인, 광 다이오드
10 10
광 다이오드 제조 방법에 있어서,실리콘 기판 위에 메타물질 하부 구조체를 제작하는 단계;상기 메타물질 하부 구조체 상에 2차 실리콘을 채워넣는 단계; 및상기 2차 실리콘 상에 메타물질 상부 구조체를 제작하는 단계를 포함하며, 상기 메타물질 하부 구조체 및 상기 메타물질 상부 구조체의 제작은 각각 전자빔 리소그래피(Electron Beam Lithography)를 이용하며, 상기 메타물질 하부 구조체는 제1 바(bar)를 포함하고, 상기 메타물질 상부 구조체는 제2 바(bar)를 포함하며, 상기 제1 바 및 상기 제2 바는 서로 수직 방향으로 배치되고,상기 메타물질 하부 구조체의 제1 바는 양측 단부에서 연장되는 제1 암 및 제2 암을 포함하며, 상기 제1 암 및 상기 제2 암은 상기 제1 바를 기준으로 서로 반대방향으로 형성되고,상기 메타물질 상부 구조체의 제2 바는 양측 단부에서 연장되는 제3 암 및 제4 암을 포함하며, 상기 제3 암 및 상기 제4 암은 상기 제2 바를 기준으로 서로 반대방향으로 형성되는 것인, 광 다이오드 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제10항에 있어서, 상기 제1 암 및 상기 제2 암은 상기 제1 바에 수직으로 형성되고, 상기 제3 암 및 상기 제4 암은 상기 제2 바에 수직으로 형성되는 것인, 광 다이오드 제조 방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 메타물질 하부 구조체 및 상기 메타물질 상부 구조체는 금(Au)을 포함하는 것인, 광 다이오드 제조 방법
15 15
제10항에 있어서, 상기 메타물질 하부 구조체 및 상기 메타물질 상부 구조체는 실리콘 육면체 안에 내장되어 있는 것인, 광 다이오드 제조 방법
16 16
제10항에 있어서, 빛의 진행 방향에서 바라보았을 때 상기 메타물질 하부 구조체의 상기 제1 바의 중심과 상기 메타물질 상부 구조체의 상기 제2 바의 중심이 중첩되는 것인, 광 다이오드 제조 방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 제1 바 및 상기 제2 바의 길이는 300nm 내지 400nm이고, 상기 제1 바 및 상기 제2 바의 이격 거리는 180nm 내지 220nm인 것인, 광 다이오드 제조 방법
18 18
제10항에 있어서, 상기 제1 바 및 상기 제2 바의 길이는 300nm 내지 400nm이고, 상기 제1 바 및 상기 제2 바의 이격 거리는 180nm 내지 220nm이고, 상기 제1 암 및 제2 암의 길이는 100nm 내지 200nm이고, 상기 하부 메타물질 구조체 및 상기 상부 메타물질 구조체 각각의 폭(width)은 40nm 내지 60nm이며, 상기 제1 암, 상기 제2암, 상기 제3 암 및 상기 제4 암 단면의 긴 길이 방향인 세로 길이는 50nm 내지 70nm인 것인, 광 다이오드 제조 방법
19 19
제15항에 있어서, 상기 실리콘 육면체는 정육면체의 형상을 가지며, 상기 실리콘 육면체의 한 변의 길이는 400nm 내지 600nm 인 것인, 광 다이오드 제조 방법
20 20
3차원 메타물질 구조체에 있어서,제1 바(bar)를 포함하는 제1 메타물질 구조체; 및상기 제1 바와 수직 방향으로 배치된 제2 바(bar)를 포함하는 제2 메타물질 구조체를 포함하고,상기 제1 바 및 상기 제2 바는 이격되어 있고, 상기 제1 바 및 상기 제2 바는 빛의 진행 방향에서 바라보았을 때 적어도 일부가 중첩되며,상기 제1 바는 양측 단부에서 연장되는 제1 암 및 제2 암을 포함하며, 상기 제1 암 및 상기 제2 암은 상기 제1 바를 기준으로 서로 반대방향으로 형성되고,상기 제2 바는 양측 단부에서 연장되는 제3 암 및 제4 암을 포함하며, 상기 제3 암 및 상기 제4 암은 상기 제2 바를 기준으로 서로 반대방향으로 형성되는 것인, 3차원 메타물질 구조체
21 21
제20항에 있어서, 상기 제1 메타물질 구조체 및 상기 제2 메타물질 구조체는 금을 포함하는 것인, 3차원 메타물질 구조체
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1 US10481298 US 미국 FAMILY
2 US10551527 US 미국 FAMILY
3 US20190064394 US 미국 FAMILY
4 US20190383970 US 미국 FAMILY

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1 US10481298 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US10551527 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2019064394 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2019383970 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 신진연구자지원사업 초정밀 3차원 전자빔 리소그래피 기반 3차원 메타물질 제작 및 광학특성과 역학특성 연구
2 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 선도연구센터지원사업(ERC) 초정밀 광 기계기술 연구센터
3 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 글로벌프론티어사업 전자기 극한물성 구조체 기술