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(In1-x,Gax) 금속층을 증착하고 제1 황화처리하여 (In1-x,Gax)(-S) 층을 형성하거나, (In1-x,Gax)(-S) 층을 증착하는 제1 단계(여기서, x 범위는 0≤x≤1 이다); 및상기 (In1-x,Gax)(-S) 층 상에 Cu 금속층 또는 Cu(-S) 층을 증착하고 제2 황화처리하는 제2 단계;를 포함하는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 증착은 물리기상증착법(PVD)을 이용하여 수행되는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 증착은 증발(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 레이저 어블레이션(laser ablation), 이온플레이팅(ionplating), 아크증착(arc deposition), 또는 이온빔 보조증착(ion beam associated deposition)에 의해 수행되는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (In1-x,Gax) 층의 증착은, 인듐(In) 금속전구체 및 갈륨(Ga) 금속전구체를 이용하여 증발(evaporation)에 의한 In/Ga 의 다층 증착 또는 In과 Ga의 동시증착, 또는 In-Ga 합금 타겟의 스퍼터링(sputtering)에 의한 증착 중 하나 이상에 의해 수행되는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Cu 금속층의 증착은 구리(Cu) 금속전구체의 증발(evaporation) 또는 구리(Cu) 금속 타겟의 스퍼터링(sputtering)에 의해 수행되는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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6
제1항에 있어서,상기 제1 황화처리 및 제2 황화처리는 H2S 함유 반응가스 또는 S 분말을 이용하여 수행되는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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7
제1항에 있어서,상기 제1 황화처리 및 제2 황화처리 중 적어도 하나 이상은 500℃ 이상의 온도에서 수행되는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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8
제1항에 있어서,상기 제1 황화처리 및 제2 황화처리 중 적어도 하나 이상은 500℃ 내지 사용기판의 손상이 발생하지 않는 범위의 온도에서 수행되는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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9
제7항에 있어서,상기 제2 황화처리가 500℃ 이상의 온도에서 수행되는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막의 제조방법
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10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 Cu(In1-x,Gax)S2 박막
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11
제10항에 있어서,CuInS2 상 및 CuGaS2 상이 존재하지 않는 Cu(In1-x,Gax)S2 박막
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12
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 Cu(In1-x,Gax)S2 박막을 포함하는 태양전지
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