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확산 방지막을 이용한 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019003722
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지는 제1 전극(10), 페로브스카이트 물질로 형성된 광흡수층(30), 정공전달층(40), 및 제2 전극(20)이 순차적으로 적층 배치되는 페로브스카이트 태양전지에 있어서, 광흡수층(30)과 정공전달층(40) 사이에 배치되어, 광흡수층(30) 내의 이온이 정공전달층(40)으로 확산되는 것을 방지하도록 확산방지층(50)을 포함한다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190044959 (2019.04.17)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0042533 (2019.04.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0143385 (2016.10.31)
관련 출원번호 1020160143385
심사청구여부/일자 Y (2019.04.17)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 서울특별시 서초구
2 강윤묵 서울특별시 성북구
3 이해석 서울특별시 송파구
4 김성탁 광주광역시 서구
5 배수현 서울특별시 동대문구
6 이상원 서울특별시 성북구
7 조경진 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태훈 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)
2 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2019.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0395242-54
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0472850-80
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0880260-19
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0901688-84
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0059190-46
7 [서류송달대표자선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Representative for Transmittal of Document] Report on Agent (Representative)
2020.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0140320-28
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2020.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0192426-11
9 법정기간연장승인서
2020.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0035041-47
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번호 청구항
1 1
제1 전극, 페로브스카이트 물질로 형성된 광흡수층, 정공전달층, 및 제2 전극이 순차적으로 적층 배치되는 페로브스카이트 태양전지에 있어서,상기 광흡수층과 상기 정공전달층 사이에 배치되어, 상기 광흡수층 내의 이온이 상기 정공전달층으로 확산되는 것을 방지하도록, 가전자대 에지(valence band edge)가 상기 페로브스카이트 물질의 HOMO 레벨과 상기 정공전달층의 HOMO 레벨 사이의 제1 에너지 레벨을 가지거나, 또는 상기 페로브스카이트 물질의 HOMO 레벨 및 상기 정공전달층의 HOMO 레벨보다 낮은 제2 에너지 레벨을 가지는 확산방지층;을 포함하며,상기 제1 에너지 레벨을 가지는 상기 확산방지층은, MoS2, Sb2S3, GaAs, FeS2, ZnSe, CdTe, PbS, PbSe, 및 PbSSe으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어지고, 두께가 1 ~ 20 nm이며,상기 제2 에너지 레벨을 가지는 상기 확산방지층은 GaP, In2S3, CdS, CdSe, 및 ZnS으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어지고, 두께가 1 ~ 5 ㎚인 페로브스카이트 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 전극 상에 금속 산화물 나노입자가 코팅되어 형성되는 블로킹층;을 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지
3 3
청구항 2에 있어서,상기 블로킹층과 상기 광흡수층 사이에, 다공성 금속 산화물로 형성되는 전자전달층;을 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지
4 4
청구항 1에 있어서,상기 페로브스카이트 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 태양전지
5 5
청구항 1에 있어서,상기 정공전달층은2,2,7,7-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenylamine) 9,9-bifluorene (spiro-OMeTAD), 및 poly-triarylamine (PTAA)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
6 6
청구항 5에 있어서,상기 정공전달층은Li 계열 도펀트, Co 계열 도펀트, 및 4-tert-butylpyridine (TBP)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지
7 7
제1 전극 상에, 페로브스카이트 물질로 이루어진 광흡수층, 정공전달층, 및 제2 전극을 순차적으로 형성하여 페로브스카이트 태양전지를 제조하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법에 있어서,상기 광흡수층 상에, 가전자대 에지(valence band edge)가 상기 페로브스카이트 물질의 HOMO 레벨과 상기 정공전달층의 HOMO 레벨 사이의 제1 에너지 레벨을 가지거나, 또는 상기 페로브스카이트 물질의 HOMO 레벨 및 상기 정공전달층의 HOMO 레벨보다 낮은 제2 에너지 레벨을 가지는 확산방지층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 에너지 레벨을 가지는 상기 확산방지층은, MoS2, Sb2S3, GaAs, FeS2, ZnSe, CdTe, PbS, PbSe, 및 PbSSe으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어지고, 두께가 1 ~ 20 nm이며,상기 제2 에너지 레벨을 가지는 상기 확산방지층은, GaP, In2S3, CdS, CdSe, 및 ZnS으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 이루어지고, 두께가 1 ~ 5 ㎚인 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 광흡수층을 형성하기 전에, 상기 제1 전극 상에 금속 산화물 나노입자를 코팅하고, 열처리하여 블로킹층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 광흡수층을 형성하기 전에, 상기 블로킹층 상에 금속 산화물 나노입자를 포함하는 금속 산화물 페이스트를 코팅하고, 열처리하여 다공성 전자전달층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
10 10
청구항 7에 있어서,상기 페로브스카이트 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 광흡수층은AX와 BX2를 1:1 비율로 유기용매에 용해하여 코팅한 후에, 열처리하여 형성되는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
12 12
청구항 10에 있어서,상기 광흡수층은BX2를 유기 용매에 용해하여 코팅하고 열처리한 후에, 코팅된 상기 BX2에, 유기 용매에 용해된 AX를 코팅하고 열처리하여 형성되는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
13 13
청구항 7에 있어서,상기 정공전달층은정공전달물질을 유기 용매에 용해한 후에 코팅하여 형성되는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020180047382 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2018079943 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 고려대학교 산학협력단 에너지국제공동연구사업 페로브스카이트 나노융합 실리콘 태양전지 기술개발