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제1전극;상기 제1전극과 이격된 제2전극;상기 제1 및 제2전극 사이에 구비되며, 상기 제1 및 제2전극을 통해 인가되는 전기적 신호에 의해 저항이 변화되어 정보를 저장하는 저항변화 물질층; 및,상기 제1전극과 저항변화 물질층 사이, 상기 제2전극과 저항변화 물질층 사이 중 적어도 한 곳에 구비되며, 모노레이어 두께가 0
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제1항에 있어서, 상기 확산 방지층은 그래핀을 포함하는 그래핀 확산 방지층인 비휘발성 메모리소자
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제2항에 있어서, 상기 그래핀 확산 방지층은 0
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제2항에 있어서, 상기 그래핀 확산 방지층은 1 ~ 20 nm의 그레인 크기를 가지는 비휘발성 메모리소자
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제2항에 있어서, 상기 그래핀 확산 방지층은 20nm 이상의 그레인 크기를 가지는 비휘발성 메모리소자
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제2항에 있어서, 상기 그래핀 확산 방지층 상에 그래핀의 그레인 경계를 통한 확산을 방지하도록 원자 증착층;을 더 포함하는 비휘발성 메모리소자
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7
제6항에 있어서, 상기 원자 증착층은 금속, 질화물, 산화물 중 어느 하나를 포함하는 비휘발성 메모리소자
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제7항에 있어서, 상기 원자 증착층은, Ru, TiN, TaN, TiAlN, AlO, InO, ZnO, AlZnO, InZnO, RuAlO 중 어느 하나를 포함하는 비휘발성 메모리소자
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제1항에 있어서, 상기 확산 방지층은 BN을 포함하는 BN 확산 방지층인 비휘발성 메모리소자
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제1항에 있어서, 상기 제1전극은 플러그형 전극을 포함하고, 상기 플러그형 전극은 상기 저항변화 물질층보다 작은 폭을 갖고, 상기 확산 방지층에 접촉된 비휘발성 메모리소자
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11
제1항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 플러그 영역을 포함하고,상기 플러그 영역은 상기 제1전극보다 작은 폭을 갖고, 상기 확산 방지층에 접촉된 비휘발성 메모리소자
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12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 상변화를 통한 저항 차이로 정보를 저장하는 상변화층인 비휘발성 메모리소자
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13
제12항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 GeTe, GeSb, GeSbTe, AgInSbTe, N-GeSbTe 등의 상변화 물질 중 어느 하나를 포함하는 비휘발성 메모리소자
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제12항에 있어서, 상기 확산 방지층은 상기 제1전극과 상기 저항변화 물질층 사이에 위치하며, 상기 제1전극은 TiN(titanium nitride), TaN(tantalum nitride), TiAlN, TaSiN, WN(tungsten nitride), WNC(tungsten nitride carbide), 도핑된 실리콘(doped-Si) 등의 도전 물질 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리소자
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15
제14항에 있어서, 상기 제2전극은 Al, Au, Cu, Ir, Ru, Pt, Ti, TiN, Ta, TaN 등의 도전 물질 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리소자
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제14항에 있어서, 상기 제1전극과 접촉된 패드형 전극을 더 포함하며, 상기 패드형 전극은 예를 들어, Al, Au, Cu, Ir, Ru, Pt, Ti, TiN, Ta, TaN 등의 도전 물질 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리소자
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17
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 산소의 불균일한 확산을 통한 저항 차이로 정보를 저장하거나, 필라멘트 형성을 통한 저항 차이로 정보를 저장하도록 마련된 비휘발성 메모리소자
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제17항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은, HfO2, TaOx, TiOx, Ag-Si, Ag-GeS2, ZrTe-AL2O3 중 어느 하나의 물질을 포함하는 비휘발성 메모리소자
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제17항에 있어서, 상기 확산 방지층은 상기 저항변화 물질층과 상기 제2전극 사이에 위치하는 비휘발성 메모리 소자
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20
제19항에 있어서, 상기 제1전극과 접촉된 패드형 전극을 더 포함하며, 상기 제1전극과 상기 패드형 전극 사이에 상기 확산 방지층을 더 구비하는 비휘발성 메모리 소자
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