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하기 화학식 1로 표시되는 광전소자용 폴리이미드 중합체:[화학식 1](상기 화학식 1에서,는 , , 또는 이고, 상기 A1은 단결합, -(CH2)p-, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, , 또는 이고, p는 1-5이고,는 , , 또는 를 포함하고, X는 -O-(C=O)-, -(C=O)-O-, -NH(C=O)-, -(C=O)-NH-, -O-, -S-, -N(C=O)2CH2CH- 또는 -CH2-O(C=O)-이고, Y1 내지 Y3는 각각 독립적으로 수소(H), C1-30의 알킬 또는 C5-30의 아릴이고, R0는 C1-30의 알킬 또는 C5-30의 아릴이고, t는 1-20의 정수이고,는 , , 또는 이고, R1은 이고, R2는 수소(H), C1-5의 직쇄 알킬 또는 C3-5의 분지쇄 알킬이고, Z1은 질소(N)이고, Z2는 , 또는 이고, Z3는 CR7 또는 질소(N)이고, Z4는 NR7, 황(S) 또는 산소(O)이고, Z5는 이고, R3 내지 R7은 각각 독립적으로 수소(H), 할로, 시아노(CN), 니트로(NO2), C1-5의 직쇄 알킬, C3-5의 분지쇄 알킬 또는 할로겐 치환된 C1-5의 알킬이고, q는 1-5의 정수이고,n은 1-500의 정수이고,m은 1-500의 정수이다)
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제1항에 있어서,상기 는 , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , 및 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 더 포함하며, 상기 화학식에서 r은 1-20인 것을 특징으로 하는 광정소자용 폴리이미드 중합체
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제1항에 있어서,상기 폴리이미드 중합체는 고유점도가 0
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이무수물; 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5로 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 방향족 디아민; 및 비스하이드록시페닐을 포함하는 방향족 디아민;을 이용하여 중합체를 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 중합체 및 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 이용하여 폴리이미드 중합체를 제조하는 단계(단계 2)를 포함하는 하기 화학식 1의 광정소자용 폴리이미드 중합체의 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6](상기 화학식 1 내지 화학식 6에서,, , , X, Y1, Y2, Y3, R2, Z1, Z2, n, m, t 및 q는 청구항 제1항에서의 정의와 같다)
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제4항에 있어서,상기 단계 1의 이무수물은 피로멜리트산 이무수물(PMDA), 옥시디프탈산 이무수물(ODPA), 비페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실산이무수물(BPDA), 벤조페논-3,4-3',4'-테트라카르복실산 이무수물(BTDA), 디페닐설폰-3,4-3',4'-테트라카르복실산 이무수물(DSDA), 4,4'-(2,2'-헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(6FDA), m(p)-터-페닐-3,4,3',4'-테트라카르복실산 이무수물, 시클로부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물(CBDA), 1-카르복시디메틸-2,3,5-시클로펜탄트리카르복실산-2,6,3,5-이무수물(TCAAH), 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(CHDA), 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물(BuDA), 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(CPDA), 5-(2,5-디옥소테트라히드로퓨릴)-3-메틸시클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(DOCDA), 4-(2,5-디옥소테트라히드로퓨릴-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(DOTDA), 바이시클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(BODA) 및 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(NTDA)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 광정소자용 폴리이미드 중합체의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 단계 2의 화학식 6으로 표시되는 화합물은 N-메틸-N-(2-하이드록시에틸)-4-(4-니트로페닐아조)아닐린, N-에틸-N-(2-하이드록시에틸)-4-(4-니트로페닐아조)아닐린, 2-((4-((2-하이드록시에틸)(메틸)아미노)페닐)디아제닐)-5-나이트로벤조나이트릴, 2-((4-((6-하이드록시헥실)(메틸)아미노)페닐)디아제닐)-5-나이트로벤조나이트릴,2-(메틸(4-((2,3,5,6-테트라플루오로-4-나이트로페닐)디아제닐)페닐)아미노)에탄-1-올,6-(메틸(4-((2,3,5,6-테트라플루오로-4-나이트로페닐)디아제닐)페닐)아미노)헥산-1-올,2-(메틸(4-((2,3,5,6-테트라플루오로-4-시아노)디아제닐)페닐)아미노)에탄-1-올, 6-(메틸(4-((2,3,5,6-테트라플루오로-4-시아노)디아제닐)페닐)아미노)헥산-1-올, 2-(메틸(4-((퍼플루오로피리딘-4-일)디아제닐)페닐)아미노)에탄-1-올, 6-(메틸(4-((퍼플루오로피리딘-4-일)디아제닐)페닐)아미노)헥산-1-올, 2-(메틸(4-((2-(트리플루오로메틸)피리딘-4-일)디아제닐)페닐)아미노)에탄-1-올 및 6-(메틸(4-((2-(트리플루오로메틸)피리딘-4-일)디아제닐)페닐)아미노)헥산-1-올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 광정소자용 폴리이미드 중합체의 제조방법
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하기 화학식 1로 표시되는 광정소자용 폴리이미드 중합체를 포함하는 고분자 막:[화학식 1](상기 화학식 1에서,, , , n 및 m은 청구항 제1항에서의 정의와 같다)
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제7항에 있어서,상기 고분자 막은 광 경화도가 10 % 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 막
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제7항에 있어서,상기 고분자 막의 열 분해 온도는 250 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 막
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제7항의 고분자 막을 포함하는 광전 소자
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제10항에 있어서,상기 광전소자의 광전계수는 20-50 pm/V인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제10항에 있어서,상기 광전소자의 고온경시안정성은 200 ℃의 온도에서 1 시간 열처리한 후 90 % 이상인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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