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신규 자기열 물질 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019005535
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규 자기열 물질 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하기 화학식 1로 표현되는 신규 자기열 물질: [화학식 1] (Gd1-xAx)3SnC (여기서, A는 La 또는 Ce이고, x는 소수이며 0 003c# x 003c# 1임), 및 아크 용해법(Arc melting method)을 이용한 상기 신규 자기열 물질의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 자기열 물질은 증대된 자기열 효과를 보여줌과 동시에 동 부피의 원료 물질인 금속 Gd3SnC 대비 효율이 현저히 높아서 저가, 고효율의 자기냉각장치 구현과 자기열 효과의 적용 온도 범위의 확장과 제어에 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C09K 5/14 (2006.01.01) C01B 32/90 (2017.01.01) C01G 19/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180010603 (2018.01.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2032918-0000 (2019.10.10)
공개번호/일자 10-2019-0055676 (2019.05.23) 문서열기
공고번호/일자 (20191016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170152656   |   2017.11.15
대한민국  |   1020170152655   |   2017.11.15
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성웅 서울특별시 서초구
2 이규형 서울특별시 동대문구
3 박종호 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0098811-55
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0120692-51
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0398895-62
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0496054-68
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0598504-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0598505-17
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2019.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0857068-19
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0696694-40
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표현되고, 안티페로브스카이트(Antiperovskite) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 자기열 물질:(Gd1-xAx)3SnC(여기서, A는 La 또는 Ce이고, x는 소수이며 0 003c# x 003c# 1임)
2 2
삭제
3 3
(a) 용융-냉각 공정에 의해 La 또는 Ce 중 어느 하나, 및 Gd, Sn 및 C를 포함하는 합성원료를 제조하는 단계; 및(b) 단계(a)에서 얻어진 합성원료를 재용융-냉각하는 단계;를 포함하는, 하기 화학식 1로 표현되고, 안티페로브스카이트(Antiperovskite) 구조를 갖는 자기열 물질의 제조방법:[화학식 1](Gd1-xAx)3SnC (여기서, A는 La 또는 Ce이고, x는 소수이며 0 003c# x 003c# 1임)
4 4
제 3항에 있어서, 상기 단계(a) 및 단계(b)는 각각 아크 용해법(Arc melting method)을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기열 물질의 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 단계(a) 및 단계(b)는 각각 불활성 가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 자기열 물질의 제조방법
6 6
하기 화학식 1로 표현되고, 안티페로브스카이트(Antiperovskite) 구조를 갖는 자기열 물질을 이용하는 냉각 시스템:[화학식 1](Gd1-xAx)3SnC (여기서, A는 La 또는 Ce이고, x는 소수이며 0 003c# x 003c# 1임)
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1 WO2019146914 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2019146914 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 미래소재디스커버리사업 1단계 3/3 [EZ]전자화물 안정화 및 기능특성 극대화를 위한 소재 인자 제어능 한계 극복 공정 기술 개발