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플라즈마 공정법을 이용한 초격자 산화물 반도체의 열전특성 향상

  • 기술번호 : KST2014059619
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법은, 기 제조된 초격자구조를 갖는 산화물 열전재료를 반응챔버로 이송시키는 S10 단계; 반응챔버 내부에 RF POWER를 가하여 플라즈마가 형성되는 S20 단계; 및 반응챔버 내부에서 이송된 초격자 산화물 열전재료의 표면에만 플라즈마 처리가 수행되는 S30 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 플라즈마 표면처리방법은 기 제조된 초격자구조를 가진 산화물 열전재료를 사용하므로, 초격자구조를 형성하는 특정 방법에 국한되지 않고, 기 제조된 초격자구조 박막의 표면에만 플라즈마 처리를 하므로, 초격자구조를 손상시키지 않으며, 따라서 초격자구조에 의한 낮은 열전도도를 변화시키지 않으면서, 표면의 전기전도도 특성을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL B01J 19/08 (2006.01) C01G 1/02 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) C01G 19/00 (2006.01)
CPC B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01)
출원번호/일자 1020110104387 (2011.10.13)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1352183-0000 (2014.01.09)
공개번호/일자 10-2013-0039807 (2013.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20140122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형균 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김준현 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 서동규 대한민국 서울특별시 서초구
4 윤명구 대한민국 경기도 동두천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0799267-62
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0951611-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0023649-99
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0318840-37
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0612650-31
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0612647-04
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0787840-15
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1065841-03
13 등록결정서
Decision to grant
2014.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0008865-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기 제조된 초격자구조를 갖는 산화물 열전재료를 반응챔버로 이송시키는 S10 단계; 반응챔버 내부에 RF전원(RF Power)을 가하여 플라즈마가 형성되는 S20 단계; 및 반응챔버 내부에서 이송된 초격자 산화물 열전재료의 표면에만 플라즈마 처리가 수행되는 S30 단계를 포함하며,S20 단계의 RF전원(RF Power)은 100W 이상이고, 300W 미만이며, 2분 동안 가해지며, S20 단계의 반응챔버 내부의 압력은 100 mTorr인 것을 특징으로 하는기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법
2 2
제1항에 있어서,S10 단계 후에 S20 단계의 플라즈마가 형성되기 전에 반응챔버의 내부 압력은 1×10-3 Torr 이하의 진공으로 유지되는 것을 특징으로 하는기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서S20 단계의 RF전원(RF Power)은 150W인 것을 특징으로 하는기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,S20 단계의 경우, 기체를 11 sccm씩 투입하면서 반응챔버 내부의 압력을 100 mTorr로 유지하는 것을 특징으로 하는기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법
8 8
제1항에 있어서,상기 산화물 열전재료는 In, In, Ga, Zn, Sn 및 Al로 이루어진 원소군 중 어느 한 가지 이상의 원소를 포함하는 3원계 이상의 산화물인 것을 특징으로 하는기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법
9 9
제1항에 있어서,상기 플라즈마 공정 수행시, Ar, N2, O2, H2, 및 CH4 로 이루어지는 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는기 제조된 초격자 산화물 열전재료의 플라즈마 표면처리방법
10 10
제1항, 제2항, 제4항, 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항의 플라즈마 표면처리방법에 의해 표면처리된 초격자 산화물 열전소재
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 원천기술개발사업-미래유망융합기술파이오니어사업 고효율 와이어 태양전지 제작을 위한 신공정 연구
2 교육과학기술부 성균관대학교 중견연구자지원사업(핵심연구:개인) 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구