요약 | 본 발명은 층상형 AZnBi(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임), 층상형 ZnBi, ZnBi 나노시트 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기존 2차원 소재 연구의 한계인 모상의 구조를 극복하기 위한 것으로, 이온 삽입을 이용하여 결정구조 전이를 통해 층상형 KZnBi, NaZnBi, LiZnBi를 제조하고, 이를 이용하여 자연계에서 존재하지 않는 ZnBi 층상구조 및 ZnBi 나노시트를 제조할 수 있다. 본 발명의 층상형 화합물 및 나노시트는 우수한 열전 특성을 가져 Bi2Te3계 재료와 PbTe계 재료를 대신하여 열전 소재로 활용될 수 있으며, 아울러 강자성 특성으로 인해 자성반도체로서 응용될 수 있다. |
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Int. CL | C30B 29/10 (2006.01.01) C30B 29/68 (2006.01.01) C30B 33/00 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) H01L 35/14 (2006.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020180011427 (2018.01.30) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-2124975-0000 (2020.06.15) |
공개번호/일자 | 10-2019-0056263 (2019.05.24) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20200622) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1020170152726 | 2017.11.16
대한민국 | 1020170152724 | 2017.11.16 |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2018.01.30) |
심사청구항수 | 13 |