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초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법

  • 기술번호 : KST2014030911
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 In-Ga-Zn-Sn-Al를 성분원소로 하는 다성분계 산화물 박막 제조방법에 관한 것으로서, 기판상에 스퍼터링을 통해 버퍼층이 형성되는 S1 단계; ZnO 버퍼층상에서 아르곤가스(Ar)와 산소가스(O2)를 주입하면서 스퍼터링을 통해 단결정의 IGZO 박막이 성장되는 S2 단계; 및 성장된 박막을 열처리하여 초격자구조를 형성시키는 S3 단계를 포함하며, S1 단계에서 형성되는 버퍼층은 ZnO, Indium-ZnO, Gallium-ZnO, YSZ, GaN, MgO, Indium Oxide 및 Gallium Oxide로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 한다.본 발명에 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법은 기판상에 버퍼층이 형성됨으로써 박막의 결정화를 용이하게 하는 효과가 있다. 본 발명에 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법은 버퍼층에서 성장된 박막을 고온에서 열처리하여 자발적 초격자구조를 형성시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 35/14 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100029518 (2010.03.31)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1093566-0000 (2011.12.07)
공개번호/일자 10-2011-0109688 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20111213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.31)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형균 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김동찬 대한민국 부산광역시 사하구
3 서동규 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)
2 특허법인세하 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0206900-80
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0212336-24
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0212344-90
4 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2010.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0360275-19
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0021233-94
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0391706-04
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0652044-30
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0652045-86
10 [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.11.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0890726-86
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2011.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0105440-15
12 [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0950516-91
13 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0705613-88
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2011.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0117891-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
In-Ga-Zn-Sn-Al를 성분원소로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법에 있어서,기판상에 스퍼터링을 통해 버퍼층이 형성되는 S1 단계;상기 버퍼층상에서 아르곤가스(Ar)와 산소가스(O2)를 주입하면서 스퍼터링을 통해 박막이 성장되는 S2 단계; 및상기 성장된 박막을 열처리하여 초격자구조를 형성시키는 S3 단계를 포함하며,상기 S1 단계에서 형성되는 버퍼층은 ZnO, Indium-ZnO, Gallium-ZnO, YSZ, GaN, MgO, Indium Oxide 및 Gallium Oxide로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 S1 단계의 기판은 육방정계구조(Hexagonal구조) 또는 능면정계구조(Rhombohedral구조)를 가지면서 버퍼층 물질과의 격자상수 차이가 1Å 이하인 물질인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 S1 단계의 기판은 사파이어, GaN, YSZ 및 ZnO로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 S1 단계의 스퍼터링의 경우, 메인쳄버의 압력을 30mTorr 이하의 진공상태로 유지하고, 300W 이하 RF Power에서 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 S1 단계의 스퍼터링의 경우, 사용되는 타겟은 ZnO, Ga-doped ZnO, IGZO, SnO2 및 Al2O3로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 물질인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 버퍼층은 단결정 또는 다결정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 S2 단계의 박막성장 온도는 650~750℃인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 S2 단계의 박막성장 온도는 700℃인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 S2 단계의 아르곤가스(Ar)와 산소가스(O2)의 유량비(Ar/O2)는 20/10 sccm인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 S2 단계의 압력은 15mTorr인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 S3 단계의 열처리 온도는, 박막의 결정화가 가능한 온도인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 S3 단계의 열처리 온도는, 기판이 사파이어로 이루어진 경우, 800℃ 이상이고 1000℃ 미만인 범위인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법
13 13
제1항에 있어서,상기 S3 단계의 열처리 압력은 1atm인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법
14 14
제1항에 있어서,상기 S3 단계의 열처리 시간은 3~9hr인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막제조방법
15 15
In-Ga-Zn-Sn-Al를 성분원소로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법에 있어서,사파이어 기판상에 스퍼터링을 통해 단결정의 ZnO 버퍼층이 형성되는 S1 단계;상기 ZnO 버퍼층상에서 아르곤가스(Ar)와 산소가스(O2)를 주입하면서 스퍼터링을 통해 단결정의 IGZO 박막이 성장되는 S2 단계; 및상기 성장된 단결정의 IGZO 박막을 열처리하여 자발적 초격자구조를 형성시키는 S3 단계를 포함하며,상기 S3 단계의 열처리 온도는 800℃ 이상이고 1000℃ 미만인 범위이고, 열처리 시간은 3~9hr이고, 열처리 압력은 1atm인 것을 특징으로 하는 초격자구조의 다성분계 산화물 박막 제조방법
16 16
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 박막 제조방법으로 형성된 초격자구조의 다성분계 산화물 박막이 구비된 것을 특징으로 하는 열전소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.