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하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 층상형 화합물
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제 1항에 있어서,상기 화합물은 강자성을 가지는 것을 특징으로 하는 화합물
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제1항에 있어서, 상기 화합물은 자기 이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 화합물
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제1항에 있어서,상기 화합물은 자기장과 평행한 방향의 easy axis를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물
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제1항에 있어서,상기 화합물은 P4/nmmz의 층상형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물
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(a) A, Mn, Bi를 포함하는 합성 원료를 반응 용기에 삽입하는 단계(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임);(b) 상기 반응 용기에 삽입된 합성 원료를 용융-냉각을 통해 결정화 하는 단계; 를 포함하는 층상형 AMnBi를 합성하는 방법
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7
제6항에 있어서,상기 고온 용융하는 단계는 650~800℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 층상형 AMnBi를 합성하는 방법
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8
제6항에 있어서,상기 냉각 단계는 상기 혼합물을 급냉 또는 서냉을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 층상형 AMnBi를 합성하는 방법
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9
제6항에 있어서,상기 서냉은 300-500℃의 온도까지 시간당 0
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10
(c) 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 층상형 AMnBi를 합성하는 방법에 따라 층상형 AMnBi를 합성하는 단계(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임);(d) 상기 층상형 AMnBi에서 A 이온을 제거하는 단계를 포함하는 층상형 MnBi의 합성 방법
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11
제10항에 있어서,상기 층상형 AMnBi에서 A 이온을 제거하는 단계는 유기용매, 물 또는 이들의 혼합물을 이용하여 결정 내의 A 이온을 제거하는 것을 특징으로 하는 층상형 MnBi의 합성 방법
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제11항에 있어서,상기 유기용매는 환상 카보네이트계 용매, 쇄상 카보네이트계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 니트릴계 용매, 아미드계 용매 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 층상형 MnBi의 합성 방법
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13
(e) 제10항의 층상형 MnBi의 합성 방법에 따라 층상형 MnBi의 합성하는 단계;(f) 상기 층상형 MnBi를 박리하는 단계를 포함하는 MnBi 나노시트 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 층상형 MnBi를 박리하는 단계는, 초음파에 의한 에너지로 박리, 용매의 침입에 의한 박리, 용매와 A 이온이(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임) 형성하는 염 및 반응 기체에 의한 박리, Tape를 이용한 박리 및 접착성 표면을 가진 물질을 이용한 박리로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 공정을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 MnBi 나노시트 제조방법
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(g) 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 층상형 AMnBi를 합성하는 방법에 따라 층상형 AMnBi를 합성하는 단계(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임);(h) 상기 층상형 AMnBi를 박리하는 단계를 포함하는 AMnBi 나노시트의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 층상형 AMnBi를 박리하는 단계는, 초음파에 의한 에너지로 박리, 용매의 침입에 의한 박리, 용매와 A 이온이(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임) 형성하는 염 및 반응 기체에 의한 박리, Tape를 이용한 박리 및 접착성 표면을 가진 물질을 이용한 박리로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 공정을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 AMnBi 나노시트 제조방법
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17
하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 나노시트
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