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감광성 폴리아믹산 유도체 수지 및 내열성 네가티브형 포토레지스트 조성물

  • 기술번호 : KST2019006024
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 감광성 폴리아믹산 유도체 수지 및 내열성 네가티브형 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에서 제공되는 네가티브형 포토레지스트 조성물은, 기존에 사용되고 있는 네가티브형 포토레지스트 조성물에 비해, 패턴 형성을 위한 열경화를 수행할 때 나타나는 높은 막 수축 문제가 극복되는 효과가 있다.
Int. CL C08G 73/10 (2006.01.01) G03F 7/038 (2006.01.01) C08L 79/08 (2006.01.01) G03F 7/028 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC C08G 73/1046(2013.01) C08G 73/1046(2013.01) C08G 73/1046(2013.01) C08G 73/1046(2013.01) C08G 73/1046(2013.01) C08G 73/1046(2013.01) C08G 73/1046(2013.01)
출원번호/일자 1020170156448 (2017.11.22)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0058976 (2019.05.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진수 대전광역시 유성구
2 원종찬 대전광역시 서구
3 김윤호 대전광역시 유성구
4 박유진 광주광역시 북구
5 문유경 충청남도 서산시
6 서영범 경기도 여주시
7 박노균 대전광역시 서구
8 이중헌 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-1163926-00
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-1096359-06
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0084849-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0912785-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0162118-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0162109-16
8 등록결정서
Decision to grant
2020.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0296614-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 2로 표시되는 고분자 화합물:[화학식 2](상기 화학식 2에서,R1 및 R2는 이고, n은 2 내지 150의 정수이다)
2 2
제1항에 있어서,n은 10 내지 100의 정수인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
3 3
제1항에 있어서,n은 10 내지 50의 정수인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
4 4
제1항에 있어서,n은 10 내지 20의 정수인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
5 5
하기 반응식 1'에 나타난 바와 같이,화학식 3'로 표시되는 화합물과 화학식 4'로 표시되는 화합물을 반응시켜, 화학식 2로 표시되는 고분자 화합물을 제조하는 단계를 포함하는, 제1항의 화학식 2로 표시되는 고분자 화합물의 제조방법:[반응식 1'](상기 반응식 1'에서,R1, R2 및 n은 독립적으로 제1항의 화학식 2에서 정의한 바와 같다)
6 6
제1항의 화학식 2로 표시되는 고분자 화합물을 포함하는, 네가티브형 포토레지스트 조성물
7 7
삭제
8 8
제6항에 있어서,상기 네가티브형 포토레지스트 조성물은 광 중합 모노머를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 네가티브형 포토레지스트 조성물
9 9
청구항 제6항의 네가티브형 포토레지스트 조성물을 광경화 패터닝하여 형성되는 전자소자용 후막
10 10
제9항에 있어서,상기 전자소자용 후막의 전자소자는 태양전지, TFT(Thin Film Transistor), LED(Light Emitting Diode), 또는 터치 패널인 것을 특징으로 하는, 전자소자용 후막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 한국화학연구원 WC300프로젝트 (P)8층 재배선 공정을 활용한 DRAM用 18분기 1 Touch Down급 프로브카드 개발(바우처)
2 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 모바일산업용 고내열 핵심 화학소재 개발