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실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019006095
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 이종접합 광 트랜시버는 CMOS SOI(silicon on insulator) 공정을 이용하여 제조되고, 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자를 포함하는 광 집적회로, 양극성 CMOS(Bipolar CMOS) 공정을 이용하여 제조되고, 광소자를 구동시키는 구동 집적회로 및 광 집적회로 및 구동 집적회로를 적층구조로 결합하는 결합부재를 포함한다.
Int. CL H04B 10/40 (2013.01.01) H04B 10/50 (2013.01.01) H01L 31/08 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H04B 10/40(2013.01) H04B 10/40(2013.01) H04B 10/40(2013.01) H04B 10/40(2013.01)
출원번호/일자 1020170156881 (2017.11.23)
출원인 전자부품연구원, 주식회사 세일테크놀러지
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0059354 (2019.05.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 세일테크놀러지 대한민국 경기도 군포시 공단로 *** ,***(

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오원석 경기도 성남시 분당구
2 박강엽 경기도 성남시 분당구
3 김기용 경기도 용인시 수지구
4 김재성 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1166371-85
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-0199650-40
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-0289251-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.09.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
CMOS SOI(silicon on insulator) 공정을 이용하여 제조되고, 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자를 포함하는 광 집적회로;양극성 CMOS(Bipolar CMOS) 공정을 이용하여 제조되고, 상기 광소자를 구동시키는 구동 집적회로; 및상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로를 적층구조로 결합하는 결합부재;를 포함하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버
2 2
제 1항에 있어서,상기 구동 집적회로는,상기 광소자로부터 발광되는 광신호를 외부변조하는 외부변조기;상기 외부변조기의 구동을 제어하는 외부변조기 드라이버;상기 외부변조기로 바이어스 전원을 공급하는 외부변조기 바이어스 회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버
3 3
제 2항에 있어서,상기 구동 집적회로는,상기 광소자로부터 송신되는 광신호의 고속 데이터 측정을 수행하는 랜덤 비트 생성기(Pseudo-Random Bit Sequence, PRBS); 및상기 광소자로부터 수신되는 광신호의 랜덤 비트 패턴의 오류를 검사하는 오류검출기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버
4 4
제 2항에 있어서,상기 외부변조기는,마흐젠더변조기(Mach-Zehnder Modulator, MZM)인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버
5 5
제 2항에 있어서,상기 외부변조기 바이어스회로는,상기 외부변조기가 최대 변조 진폭이 되도록 상기 바이어스 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버
6 6
제 2항에 있어서,상기 광 집적회로는,상기 외부변조기의 전극단 및 전원 디커플링(decoupling)에 사용되는 수동소자;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버
7 7
제 1항에 있어서,상기 결합부재는,상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로가 일정 간격을 유지되도록 직경 10㎛ 내지 30㎛이고, 표면에 피치(pitch) 30㎛ 내지 50㎛인 나사산을 가지는 금속재질의 기둥형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버
8 8
CMOS SOI 공정을 이용하여 광신호의 송신 및 수신에 사용되는 광소자를 포함하는 광 집적회로를 제조하고, 양극성 CMOS 공정을 이용하여 상기 광소자를 구동시키는 구동 집적회로를 제조하는 단계; 및상기 광 집적회로 및 상기 구동 집적회로를 적층구조로 결합시키는 단계;를 포함하는 실리콘 포토닉스를 이용한 이종접합 광 트랜시버의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업부 전자부품연구원 소재부품기술개발사업 (R)실리콘 포토닉스 기반 집적형 100Gbps급 저전력(3.5W) 광송수신 부품 및 모듈 개발