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다결정 금속 박막 상에 단결정 2차원 물질을 전사하는 단계; 및 상기 다결정 금속 박막을 열처리하여 상기 다결정 금속 박막을 단결정 금속 박막으로 변환시키는 단계;를 포함하고,상기 다결정 금속 박막과 상기 단결정 2차원 물질의 계면에서 발생하는 에피택시(epitaxy) 특성에 의해 상기 다결정 금속 박막이 단결정 금속 박막으로 변환되는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 다결정 금속 박막의 일부 또는 전부 상에 상기 단결정 2차원 물질을 전사하는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 500℃ 내지 2,000℃의 온도에서 이루어지는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 열처리 온도 및 시간을 조절하여 상기 단결정 금속 박막의 크기를 조절하는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다결정 금속 박막은 Cu, Ni, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 2차원 물질은 그래핀, 육방정 질화붕소, 전이금속 칼코게나이드 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리 시 H2 및 불활성 기체를 공급하는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 불활성 기체는 Ar, He, N2, Ne 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 기체를 포함하는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단결정 2차원 물질을 제거하는 단계를 추가 포함하는 것인, 단결정 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 단결정 금속 박막의 제조 방법에 의해 제조된, 단결정 금속 박막
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제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따라 단결정 금속 박막을 제조하는 단계; 및상기 단결정 금속 박막 상에 탄소 소스를 공급하면서 열처리하여 단결정 그래핀을 성장시키는 단계;를 포함하는, 단결정 그래핀의 제조 방법
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