맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전하 선택 접합형 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019006369
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전하 선택 접합형(Carrier Selective Contact) 태양전지의 제작 공정 중, 터널링 특성을 갖는 아주 얇은 실리콘 산화막 성장 시 공정 조건의 최적화를 통해 산화막의 박막 내 전하의 극성(Positive, Negative)을 제어할 수 있고, 이를 이용하여 전자 선택 접합층(Electron Selective Contact Layer, ESCL) 및 정공 선택 접합층(Hole Selective Contact Layer, HSCL)에서의 전하 수집율을 증가시켜 전하선택접합형 태양전지의 출력특성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Int. CL H01L 31/06 (2006.01.01) H01L 31/02 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/06(2013.01) H01L 31/06(2013.01) H01L 31/06(2013.01) H01L 31/06(2013.01)
출원번호/일자 1020170159588 (2017.11.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0061325 (2019.06.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이준신 서울특별시 서초구
2 박철민 경기도 수원시 장안구
3 안시현 경기도 수원시 장안구
4 한상욱 경기도 수원시 팔달구
5 박수영 경기도 고양시 일산동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1180208-80
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판; 상기 실리콘 기판의 전면 상에 위치하고 터널링을 통해 전하가 통과할 수 있는 제1 터널 패시베이션층;상기 실리콘 기판의 후면 상에 위치하고 터널링을 통해 전하가 통과할 수 있는 제2 터널 패시베이션층;상기 제1 터널 패시베이션층 상에 위치한 정공 선택 접합층;상기 제2 터널 패시베이션층 상에 위치한 전자 선택 접합층;상기 정공 선택 접합층 상에 위치하는 제1 투명전도층; 및상기 전자 선택 접합층 상에 위치하는 제2 투명전도층을 포함하는,전하 선택 접합형 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 터널 패시베이션층은 각각 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는,전하 선택 접합형 태양전지
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제1 및 제2 터널 패시베이션층은 플라즈마 산화 성장법에 의해 형성된 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는,전하 선택 접합형 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1 터널 패시베이션층은 내부의 전하 극성이 네거티브를 나타내는,전하 선택 접합형 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 터널 패시베이션층은 내부의 전하 극성이 포지티브를 나타내는,전하 선택 접합형 태양전지
6 6
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제1 및 제2 터널 패시베이션층의 내부의 전하 극성은 플라즈마 공정 조건에 의해 제어되는,전하 선택 접합형 태양전지
7 7
실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 전면 상에 터널링을 통해 전하가 통과할 수 있는 제1 터널 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 후면 상에 터널링을 통해 전하가 통과할 수 있는 제2 터널 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 제1 터널 패시베이션층 상에 정공 선택 접합층을 형성하는 단계;상기 제2 터널 패시베이션층 상에 전자 선택 접합층을 형성하는 단계;상기 정공 선택 접합층 상에 제1 투명전도층을 형성하는 단계; 및상기 전자 선택 접합층 상에 제2 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하는,전하 선택 접합형 태양전지의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제1 및 제2 터널 패시베이션층은 각각 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는,전하 선택 접합형 태양전지의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제1 및 제2 터널 패시베이션층은 플라즈마 산화 성장법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는,전하 선택 접합형 태양전지의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 제1 터널 패시베이션층은 내부의 전하 극성이 네거티브를 나타내는,전하 선택 접합형 태양전지의 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서,상기 제 2 터널 패시베이션층은 내부의 전하 극성이 포지티브를 나타내는,전하 선택 접합형 태양전지의 제조 방법
12 12
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 제1 및 제2 터널 패시베이션층의 내부의 전하 극성은 플라즈마 공정 조건에 의해 제어되는,전하 선택 접합형 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2019103570 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2019103570 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 신재생에너지핵심 기술 개발 고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발