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유기절연체 표면처리 기술 및 이를 이용한 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019009251
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기절연체 및 유기반도체 사이에 금속산화물 박막층 및 자가조립단층(Self-Assembled Monolayer; SAM)을 포함하고, 상기 유기 절연체 위에 금속산화물 박막층이 형성되고 상기 금속산화물 박막층 위에 자가조립단층이 형성된 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따르면, 유기절연체를 이용한 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 유기 절연체 위에 금속산화물 박막층을 형성하고 상기 금속산화물 박막층 위에 자가조립단층을 형성시킴으로써, 유기절연체의 절연특성은 저하시키지 않으면서 유기반도체의 분자정렬을 향상시킬 뿐만 아니라, 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시켜, 최종적으로 소자의 성능이 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01)
출원번호/일자 1020170165014 (2017.12.04)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-2028437-0000 (2019.09.27)
공개번호/일자 10-2019-0065642 (2019.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20191004) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤호 대전광역시 유성구
2 하태욱 대전광역시 유성구
3 유성미 대전광역시 동구
4 가재원 대전광역시 유성구
5 김동균 경기도 수원시 장안구
6 원종찬 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-1207039-37
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0054026-92
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0298277-43
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0298304-99
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0524363-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0864956-13
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.08.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0864980-09
8 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0686572-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 유기절연체 층, 유기반도체 층 및 복수의 전극을 포함하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기절연체 층 위에 금속산화물 박막층이 형성되고, 상기 금속산화물 박막층 위에 자가조립단층(Self-Assembled Monolayer; SAM)이 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지트랜지스터이되,상기 유기절연체 층은 폴리이미드(PI)를 포함하고,유기반도체 층은 dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) 또는 2-decyl-7-phenyl-[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene(Ph-BTBT-C10)를 포함하고, 금속산화물은 Al2O3, YOx 또는 ZrOx이고,자기조립단층은 옥타데실포스폰산(octadecylphophonic acid; ODPA) 또는 2-(퍼플루오로데실)에틸 포스폰산(2-(perfluorodecyl)ethyl phosphonic acid; F21-PA)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
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3 3
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4 4
제1항에 있어서,상기 복수의 전극은 게이트 전극, 소스/드레인 전극을 포함하는 것인 유기 박막 트랜지스터
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6 6
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7 7
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계 (단계 1);상기 게이트 전극 상에 유기절연체 층을 형성하는 단계(단계 2);상기 유기절연체 층 상에 금속산화물 박막층을 형성하는 단계(단계 3);상기 금속산화물 박막층 상에 자가조립단층을 형성하는 단계(단계 4);상기 자가조립단층 상에 유기반도체 층을 형성하는 단계(단계 5); 및상기 유기반도체 층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계(단계 6);를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법이되,상기 유기절연체 층은 폴리이미드(PI)를 포함하고,유기반도체 층은 dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) 또는 2-decyl-7-phenyl-[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene(Ph-BTBT-C10)를 포함하고, 금속산화물은 Al2O3, YOx 또는 ZrOx이고,자기조립단층은 옥타데실포스폰산(octadecylphophonic acid; ODPA) 또는 2-(퍼플루오로데실)에틸 포스폰산(2-(perfluorodecyl)ethyl phosphonic acid; F21-PA)을 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속산화물 박막층은 질산염, 클로라이드염 및 아세테이트염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 알루미늄염, 이트륨염 또는 지르코늄염의 수화물을 포함하는 전구체 용액으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 유기절연체 층, 금속산화물 박막층, 자가조립단층 및 유기반도체 층은 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린프린팅, 전사법 및 딥핑법으로부터 선택되는 어느 하나의 용액 공정법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 원천기술개발사업 (EZ)유연절연박막소재 개발
2 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 모바일산업용 고내열 핵심 화학소재 개발