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(a) 루테늄 소스의 전구체를 주입시켜 기판에 흡착시키는 단계 (b) 퍼지가스를 주입하는 단계 (c) 반응가스(1)을 주입하면서 플라즈마를 발생하여 흡착된 루테늄 소스의 전구체의 리간드를 제거함으로서 루테늄 원자층을 형성하는 단계 (d) 퍼지가스를 주입하는 단계와 (e) 탄탈늄(Ta) 소스의 전구체를 주입하여 흡착시키는 단계 (f) 퍼지가스를 주입하는 단계 (g) 반응가스(2)를 주입하면서 플라즈마를 발생하여 흡착된 탄탈륨 소스 전구체의 리간드를 제거함으로서 이원계 질화물을 형성하는 단계 및 (h) 퍼지가스를 주입하는 단계;를 구비하여 반도체 기판상에 비정질의 구조를 가지는 루테늄탄탈륨 질화막을 형성하되,(a) 단계에서 상기 루테늄 소스의 전구체는 Ru(EtCp)2, Ru(i-PrCp)2, RuCp2, Ru(OD)3, Ru(THD)3, Ru(THD)2COD, Ru(MeCp)2, RuCl3, CpRu(CO)3, Ru3(CO)12, Ru(acac)3, Carish, Rudic 중 어느 하나를 사용하고, 50~200sccm의 유량으로 t1=1~20 sec 동안 유입시키고,(b)단계에서의 퍼지가스로는 Ar, N2, Ne, 또는 He 중 하나 이상을 포함한 불활성기체 또는 H2를 사용하고, 퍼지가스는 50~1000 sccm의 유량으로 1~20sec 동안 공급되고, (c)단계에서의 반응가스(1)은 NH3, N2, H2, Ar 또는, 이들의 혼합기체를 사용하되, 흡착된 루테늄 소스 전구체와의 반응성을 높이기 위하여 플라즈마를 발생시켜 주입하고, 반응가스(1)은 50~200 sccm의 유량으로 1~ 20sec간 공급하며, 플라즈마 파워는 50~500W로 하고,(d)단계에서의 퍼지가스로는 Ar, N2, Ne, 또는 He 중 하나 이상을 포함한 불활성기체 또는 H2를 사용하고, 퍼지가스는 50~1000 sccm의 유량으로 1~20sec 동안 공급되고, (e)단계에서의 탄탈륨 소스의 전구체로는 TaCl4, TaBr4, TaF4, TBTDET, PEMAT, PDMAT, PDEAT, TAIMATA 중 어느 하나를 사용하여 50~200 sccm의 유량으로 버블링하여 t3=1~20sec 동안 유입시키고,(f)단계에서의 퍼지가스로는 Ar, N2, Ne, 또는 He 중 하나 이상을 포함한 불활성기체 또는 H2를 사용하고, 퍼지가스는 50~1000 sccm의 유량으로 1~20sec 동안 공급되고, (g)단계에서의 반응가스(2)는 NH3, H2, N2, tBuNH2, AyNH2, Me2NNH2 또는, 이들의 혼합기체를 사용하되, 흡착된 탄탈륨 소스 전구체와의 반응성을 높이기 위하여 플라즈마를 발생시켜 함께 주입하고, 반응가스(2)은 50~200sccm의 유량으로 1~ 20sec간 공급하고, 플라즈마 파워는 10~300W로 하고,(h)단계에서의 퍼지가스로는 Ar, N2, Ne, 또는 He 중 하나 이상을 포함한 불활성기체 또는 H2를 사용하고, 퍼지가스는 50~1000 sccm의 유량으로 1~20sec 동안 공급되고,루테늄 탄탈륨 질화막의 일함수를 높이기 위해 상기(a)단계~(d)단계의 반복 횟수를 제어하며, (a)단계~(d)단계를 20 내지 40회 반복 실시하고 (e)단계~(h)단계를 한번 실시하여 pMOS용 루테늄 탄탈륨 질화막의 일함수를 4
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