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i) 분말을 플라즈마 반응기에 공급하고, 상기 플라즈마 반응기에서, 상온 이상이고 상기 분말의 깁스에너지가 0인 온도 이하인 온도 범위에 해당하는 A 온도 구간에서 온도를 상승시키면서 상기 분말을 통과시키는 단계;ii) 상기 플라즈마 반응기에서, 상기 분말의 깁스에너지가 0인 온도를 초과하고 온도가 변화되는 변곡점 온도 이하인 온도 범위에 해당하는 B 온도 구간에서 온도를 상승시켜, 상기 플라즈마 반응기 내부를 환원 분위기로 유지시키며, 플라즈마 및 유도가열로 각형의 상기 분말을 가열시켜 구형화시킴으로써 구형의 분말을 생성하는 단계;iii) 상기 플라즈마 반응기 내부의 산화 분위기 방지를 위해, 상기 B 온도 구간에서, 상기 플라즈마 반응기의 자기장 출력이 변화하는 시점의 온도인 상기 변곡점 온도가 형성되는 상기 플라즈마 반응기 내부 일 부위에 대해 냉각을 수행하는 가스인 에칭가스를 주입하여 상기 플라즈마 반응기 내부의 온도를 감소시킴으로써, 구형의 상기 분말을 급속 냉각시키는 단계; 및iv) 상기 플라즈마 반응기로부터 구형의 상기 분말을 배출하는 단계;를 포함하고,상기 분말의 구형화가 환원 분위기에서 수행되어, 구형의 상기 분말 입자의 산소 농도 증가가 방지됨으로써 구형의 상기 분말 순도 저하가 방지되는 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 iii) 단계에서, 상기 에칭가스는 산소, 질소 및 불활성기체로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 기체인 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 iii) 단계에서, 상기 에칭가스는 수소가스로써, 상기 플라즈마 반응기 내부에 상기 수소가스를 주입함으로써, 상기 플라즈마 반응기 내부의 수소비를 증가시켜, 상기 플라즈마 반응기 내부를 환원 분위기로 유지시키는 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말의 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 iii) 단계의 상기 플라즈마 반응기 내부에서, 상기 수소비의 증가에 따라 수소원자의 양이 증가하는 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말의 제조방법
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청구항 1에 있어서,구형의 상기 분말의 순도는 99
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청구항 1에 있어서,상기 분말은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말의 제조방법
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청구항 1에 있어서,구형의 상기 분말의 직경은 0
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청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 반응기는, 상기 분말의 이동 구간 중, 상기 분말이 가열되는 구간에 대응하는 일 부위에 전자기장을 생성하는 유도코일을 구비하는 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 ii) 단계에서, 상기 분말은 상기 플라즈마 반응기의 상부로부터 상기 플라즈마 반응기의 하부 방향으로 유동하면서 구형화되는 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 i) 단계에서, 상기 분말을 상기 플라즈마 반응기로 운반하는 기체인 운반가스는 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말의 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 고순도 구형 분말
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