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다이오드를 내장한 MOS 구조의 사이리스터 소자

  • 기술번호 : KST2019009501
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다잉드 내장형 사이리스터 소자를 개시한다. 그의 소자는, 제 1 도전형 갖는 기판과, 상기 기판 아래에 배치된 애노드 층과, 상기 기판 상에 배치되어 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형을 갖고, 제 1 영역과 상기 제 1 영역으로부터 분리된 제 2 영역을 갖는 불순물 층과, 상기 불순물 층의 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 내에 배치되어 상기 제 1 도전형을 갖는 제 1 웰들과, 상기 제 1 웰들 내에 배치되어 상기 제 2 도전형을 갖는 제 2 웰들과, 상기 제 2 웰들 내에 배치되어 상기 제 1 도전형을 갖는 제 3 웰들과, 상기 제 1 내지 제 3 웰들과 상기 불순물 층 상의 산화막과, 상기 산화막을 관통하여 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역 상의 상기 제 3 웰들에 각각 연결되는 케소드; 및 상기 제 1 영역의 상기 제 1 웰 상의 상기 산화막 내에 배치되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 상기 제 2 영역 상의 제 3 웰들 중 어느 하나에 전기적으로 연결하는 게이트 배선을 구비하는 게이트 층을 포함한다.
Int. CL H01L 27/102 (2006.01.01) H01L 27/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180049302 (2018.04.27)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 한화
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0068400 (2019.06.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170168234   |   2017.12.08
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 한화 대한민국 서울시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원종일 세종특별자치시 만남로
2 박건식 대전시 유성구
3 곽창섭 대구시 달서구
4 손성훈 경북 칠곡군
5 최동혁 경북 구미시
6 조두형 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0422709-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2018-5253883-55
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5023990-94
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5037793-78
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번호 청구항
1 1
제 1 도전형 갖는 기판;상기 기판 아래에 배치된 애노드 층;상기 기판 상에 배치되어 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형을 갖고, 제 1 영역과 상기 제 1 영역으로부터 분리된 제 2 영역을 갖는 불순물 층;상기 불순물 층의 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 내에 배치되어 상기 제 1 도전형을 갖는 제 1 웰들;상기 제 1 웰들 내에 배치되어 상기 제 2 도전형을 갖는 제 2 웰들;상기 제 2 웰들 내에 배치되어 상기 제 1 도전형을 갖는 제 3 웰들;상기 제 1 내지 제 3 웰들과 상기 불순물 층 상의 산화막;상기 산화막을 관통하여 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역 상의 상기 제 3 웰들에 각각 연결되는 케소드; 및상기 제 1 영역의 상기 제 1 웰 상의 상기 산화막 내에 배치되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 상기 제 2 영역 상의 제 3 웰들 중 어느 하나에 전기적으로 연결하는 게이트 배선을 구비하는 게이트 층을 포함하는 다이오드 내장형 사이리스터 소자
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.