맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

2단자 수직형 1T-디램 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019009573
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2단자 수직형 1T-디램 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 타입의 반도체를 포함하는 음극(cathode)층; 상기 음극층 상에 형성되고, 진성 반도체를 포함하는 제1 진성층; 상기 제1 진성층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 제1 베이스층; 상기 제1 베이스층 상에 형성되고, 진성 반도체를 포함하는 제2 진성층; 상기 제2 진성층 상에 형성되고, 제1 타입의 반도체를 포함하는 제2 베이스층; 상기 제2 베이스층 상에 형성되고, 진성 반도체를 포함하는 제3 진성층; 및 상기 제3 진성층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 양극(anode)층을 포함한다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01.01)
CPC H01L 27/10841(2013.01) H01L 27/10841(2013.01)
출원번호/일자 1020170168145 (2017.12.08)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0068095 (2019.06.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박재근 서울특별시 성동구
2 송승현 서울특별시 성동구
3 김민원 서울특별시 성동구
4 유상동 서울특별시 성동구
5 심태헌 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-1224526-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 타입의 반도체를 포함하는 음극(cathode)층;상기 음극층 상에 형성되고, 진성 반도체를 포함하는 제1 진성층;상기 제1 진성층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 제1 베이스층;상기 제1 베이스층 상에 형성되고, 진성 반도체를 포함하는 제2 진성층;상기 제2 진성층 상에 형성되고, 제1 타입의 반도체를 포함하는 제2 베이스층;상기 제2 베이스층 상에 형성되고, 진성 반도체를 포함하는 제3 진성층; 및상기 제3 진성층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 양극(anode)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 2단자 수직형 1T-디램
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2019112370 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2019112370 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 2단자 수직형 사이리스터 기반 1T-DRAM 원천 기술 개발