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3차원 적층구조를 가지는 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015141437
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 적층구조를 가지는 메모리 소자가 개시된다. 주변 회로 영역 상부에 셀 영역이 구비된다. 각각의 셀 영역들은 층간 분리막으로 분리된다. 또한, 한층의 셀 영역과 하부의 주변 회로 영역을 전기적으로 연결하는 비아 그룹이 구비된다. 기판의 수직방향으로 적층된 다수의 셀 영역들은 상층부로 갈수록 해당하는 비아 그룹은 주변 회로 영역의 외곽에 배치된다. 따라서, 다층구조의 셀 영역과 함께 높은 집적도를 달성할 수 있다.
Int. CL H01L 27/06 (2006.01.01) H01L 27/108 (2006.01.01) H01L 21/8234 (2006.01.01)
CPC H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01) H01L 27/0688(2013.01)
출원번호/일자 1020110081797 (2011.08.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1837774-0000 (2018.03.06)
공개번호/일자 10-2013-0019688 (2013.02.27) 문서열기
공고번호/일자 (20180426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0636429-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0760938-71
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0051711-37
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0583930-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1036634-27
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1036633-82
10 등록결정서
Decision to grant
2018.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0138083-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 주변 회로 영역; 및주변 회로 영역 상에 형성된 다수의 층상에 형성된 셀 영역들; 및상기 주변 회로 영역과 상기 셀 영역들을 전기적으로 연결하는 비아 그룹들을 포함하고,상기 셀 영역들은 상이한 층상에 형성되며, 기판으로부터 상부로 갈수록 셀 영역에 연결되는 비아 그룹은 상기 기판의 외곽방향으로 배치되고,상기 비아 그룹들은,상기 주변 회로 영역 상에 형성된 제1 셀 영역과 상기 주변 회로 영역을 연결하는 제1 비아 그룹; 및상기 제1 셀 영역 상부에 형성된 제2 셀 영역과 상기 주변 회로 영역을 연결하는 제2 비아 그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층구조를 가지며,상기 제1 비아 그룹에 연결되는 컬럼 디코더 및 로우 디코더는 상기 제2 비아 그룹에 연결되는 컬럼 디코더 및 로우 디코더에 비해 기판의 중심부를 향해 배치된 것을 특징으로 하는 3차원 적층구조를 가지는 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 주변 회로 영역은,중심 부위에 형성되는 페리페럴 회로부;상기 페리페럴 회로부의 좌측 또는 우측에 형성되는 컬럼 디코더부;상기 페리페럴 회로부의 상측 또는 하측에 형성되는 로우 디코더부; 및상기 컬럼 디코더부와 로우 디코더부 사이에 형성되고, 상기 주변 회로 영역의 코너 부위에 형성되는 층선택 회로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층구조를 가지는 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 층선택 회로부는 특정의 컬럼 디코더 및 로우 디코더를 활성화시켜, 상기 활성화된 컬럼 디코더 및 로우 디코더에 해당하는 특정층의 셀 영역을 엑세스하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층구조를 가지는 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 비아 그룹은 상기 제1 비아 그룹에 비해 기판의 중심부로부터 외곽에 배치되는 것을 특징으로 하는 3차원 적층구조를 가지는 메모리 소자
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.