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음극(cathode)층;상기 음극층 상에 형성되고, 적어도 2개 이상의 베이스층을 포함하는 베이스 영역; 및상기 베이스 영역 상에 형성되는 양극(anode)층을 포함하고,상기 음극층 및 상기 양극층 사이에 적어도 3개 이상의 접합(junction)을 포함하는 것을 특징으로 하는 2단자 수직형 1T-디램
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제1항에 있어서,상기 음극층은 제1 타입의 반도체를 포함하고, 상기 양극층은 상기 제2 타입의 반도체를 포함하며,상기 베이스 영역은 상기 음극층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 제1 베이스층 및 상기 제1 베이스층 상에 형성되고, 제1 타입의 반도체를 포함하는 제2 베이스층을 구비하는 것을 특징으로 하는 2단자 수직형 1T-디램
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제1항에 있어서,상기 음극층은 제1 타입의 반도체를 포함하고, 상기 양극층은 상기 제1 타입의 반도체를 포함하며,상기 베이스 영역은 상기 음극층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 제1 베이스층, 상기 제1 베이스층 상에 형성되고, 제1 타입의 반도체를 포함하는 제2 베이스층 및 상기 제2 베이스층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 제3 베이스층을 구비하는 베이스 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 2단자 수직형 1T-디램
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제1항에 있어서,상기 음극층은 제1 타입의 반도체를 포함하고, 상기 양극층은 상기 제2 타입의 반도체를 포함하며,상기 베이스 영역은 상기 음극층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 제1 베이스층, 상기 제1 베이스층 상에 형성되고, 제1 타입의 반도체를 포함하는 제2 베이스층, 상기 제2 베이스층 상에 형성되고, 제2 타입의 반도체를 포함하는 제3 베이스층 및 상기 제3 베이스층 상에 형성되고 제1 타입의 반도체를 포함하는 제4 베이스층을 구비하는 것을 특징으로 하는 2단자 수직형 1T-디램
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