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초박형 사파이어 기판을 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019010452
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨 기판의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 질화갈륨 기판의 제조 방법은 사파이어 기판을 준비하는 단계; 상기 사파이어 기판 상에 제1 온도 및 제2 온도로 순차적으로 질화갈륨층을 성장시키는 단계; 및 상기 질화갈륨층으로부터 상기 사파이어 기판을 분리하여 질화갈륨 기판을 수득하는 단계를 포함하고, 상기 사파이어 기판은 상기 질화갈륨 기판보다 얇은 두께인 것을 특징되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 21/86 (2006.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020170176368 (2017.12.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0074774 (2019.06.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 경기도 성남시 분당구
2 심태헌 경기도 수원시 영통구
3 심재형 서울특별시 서초구
4 박진성 서울특별시 노원구
5 이재언 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1272858-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판을 준비하는 단계;상기 사파이어 기판 상에 제1 온도 및 제2 온도로 순차적으로 질화갈륨층을 성장시키는 단계; 및상기 질화갈륨층으로부터 상기 사파이어 기판을 분리하여 질화갈륨 기판을 수득하는 단계를 포함하고,상기 사파이어 기판은 상기 질화갈륨 기판보다 얇은 두께인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 두께는 70㎛ 내지 430㎛인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 질화갈륨층의 두께는 300㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 온도는 900℃ 내지 1,100℃인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 온도는 10℃ 내지 40℃인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 (재) 연구성과실용화진흥원 산학연협력·실용화·기술사업화 / 공공연구성과기술사업화지원 / 연구성과사업화지원 기술업그레이드 R＆D 고전압 LED용 상용급 고품위 HVPE GaN 웨이퍼 개발과 초저가 실현을 위한 nanolayer transferred GaN 기판 기술 개발