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1
하기 화학식 1로 표시되는, 고유전율 및 저유전손실을 갖는 나이오베이트 유전체 조성물
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2
제 1항에 따른 유전체 조성물의 K+ 이온이 H+ 이온으로 양이온 치환된, 하기 화학식 2로 표시되는, 고유전율 및 저유전손실을 갖는 나이오베이트 유전체 조성물
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3
제 2항에 따른 유전체 조성물의 H+ 이온이 탈락된, 하기 화학식 3으로 표시되는, 고유전율 및 저유전손실을 갖는 나이오베이트 유전체 조성물
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4
제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 유전체 조성물은 선형적 유전 특성을 가지는 것인 나이오베이트 유전체 조성물
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5
제 3항에 있어서, 상기 유전체 조성물은 나노시트형 유전체 조성물인 나이오베이트 유전체 조성물
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6
제 3항에 따른 유전체 조성물을 이용한 나노시트 박막
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7
칼륨 전구체, 스트론？Z 전구체, 구리 전구체 및 니오븀 산화물을 혼합 및 하소하여 하기 화학식 1로 표시되는 유전체 조성물을 제조하는 단계;를 포함하는 나이오베이트 유전체 조성물의 제조방법
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8
칼륨 전구체, 스트론？Z 전구체, 구리 전구체 및 니오븀 산화물을 혼합 및 하소하여 하기 화학식 1로 표시되는 유전체 조성물을 제조하는 단계; 및KSr2(1-x)Cu2xNb3O10 (화학식 1)(상기 식에서, x는 0003c#x≤0
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9
제 8항에 있어서,상기 화학식 2의 x는 0003c#x≤0
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10
칼륨 전구체, 스트론？Z 전구체, 구리 전구체 및 니오븀 산화물을 혼합 및 하소하여 하기 화학식 1로 표시되는 유전체 조성물을 제조하는 단계;KSr2(1-x)Cu2xNb3O10 (화학식 1)(상기 식에서, x는 0003c#x≤0
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11
제 10항에 있어서,상기 화학식 2 및 화학식 3의 x는 0003c#x≤0
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제 7항에 있어서,상기 하소는 900 내지 1100℃에서 이루어지는 것인 나이오베이트 유전체 조성물의 제조방법
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13
제 10항에 있어서,상기 수산화물 용액은 테트라부틸암모늄 수산화물(TBAOH), 테트라프로필암모늄 수산화물(TPAOH), 테트라에틸암모늄 수산화물(TEAOH) 및 테트라메틸암모늄 수산화물(TMAOH)로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 용액인 나이오베이트 유전체 조성물의 제조방법
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14
제 10항에 의하여 제조된 나노시트형 유전체 조성물로부터 단결정 시트를 박리하고, 상기 단결정 시트를 전기영동법 또는 랭뮤어-블로젯법을 이용하여 나노시트 박막을 형성하는 것인 나노시트 박막의 제조방법
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