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제1 금속층;상기 제1 금속층의 표면에 부착된 제1 스페이서층;상기 제1 스페이서층의 표면에 분산된 업컨버전 나노입자층;상기 업컨버전 나노입자층 상에 형성된 제2 스페이서층; 및상기 제2 스페이서층의 표면에 형성된 다수개의 금속나노입자로 이루어진 제2 금속층;을 포함하는 근적외선 파장변환 구조체
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제1항에 있어서,상기 근적외선 파장변환 구조체는 900 내지 1500 ㎚의 근적외선 파장영역을 400 내지 800 ㎚의 가시광 파장영역으로 변환하는 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변한 구조체
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제1항에 있어서,상기 제1 금속층 하면에 기판이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제1항에 있어서,상기 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층은 각각 독립적으로 반도체 물질, 산화물, 질화물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제1항에 있어서,상기 스페이서층의 두께는 1 내지 60 nm인 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제1항에 있어서,상기 제2 금속층을 이루는 다수개의 금속나노입자는 주기적 또는 비주기적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제6항에 있어서,상기 금속나노입자가 비주기적으로 형성된 경우,상기 금속나노입자는 섬(island) 형태이고,상기 섬 형태의 금속나노입자가 비규칙적으로 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제6항에 있어서,상기 금속나노입자가 주기적으로 형성된 경우,상기 금속나노입자는 삼각형, 원형, 타원형, 마름모 및 소정의 굴곡을 갖는 다각형으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 형태를 갖고,상기 금속나노입자는 10 내지 500 ㎚ 간격으로 정렬된 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제1항에 있어서,상기 제1 금속층 및 제2 금속층은 서로 독립적으로 금, 은, 알루미늄, 니켈, 코발트, 철, 아연, 크롬 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제1항에 있어서,상기 업컨버전 나노입자의 직경은 5 내지 100 nm 인 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제1항에 있어서,상기 업컨버전 나노입자는 이터븀(Yb), 어븀(Er) 또는 이들의 혼합물이 도핑된 할라이드, 칼코게나이드 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 근적외선 파장변환 구조체로 이루어진 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성된 제1 투명전극층;상기 제1 투명전극층 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 제2 투명전극층; 및상기 제2 투명전극층 상에 형성된 제2 전극층;을 포함하는 태양전지
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제12항에 있어서,상기 제1 투명전극층 및 제2 투명전극층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 불소주석산화물(fluorine tin oxide, FTO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 주석계 산화물(tin oxide, TO), 안티몬주석산화물(antimony tin oxide, ATO), 아연 산화물(zinc oxide), 알루미늄 도핑된 아연 산화물(Al-doped zinc oxide), 카드뮴산화물(CdO), 카드뮴주석산화물(CdSnO4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 투명 전도성 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 태양전지
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