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근적외선 파장변환 구조체 및 이를 이용한 태양전지

  • 기술번호 : KST2019010856
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 근적외선 파장변환 구조체에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 갭 플라즈몬(gap plasmon) 특성과 업컨버전 나노입자를 이용한 새로운 형태의 근적외선 파장변환 구조체인 것을 특징으로 하며, 이를 태양전지에 적용하면 근적외선 파장대의 빛을 전기 에너지로 변환시킬 수 있게 함으로써, 태양전지의 광전환 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/055 (2014.01.01)
CPC H01L 31/055(2013.01)
출원번호/일자 1020140187754 (2014.12.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1575733-0000 (2015.12.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20151221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.24)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고형덕 대한민국 서울특별시 성북구
2 장호성 대한민국 서울특별시 성북구
3 고두현 대한민국 서울특별시 성북구
4 한일기 대한민국 서울특별시 성북구
5 이기용 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1254052-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0098065-12
4 등록결정서
Decision to grant
2015.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0839541-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 금속층;상기 제1 금속층의 표면에 부착된 제1 스페이서층;상기 제1 스페이서층의 표면에 분산된 업컨버전 나노입자층;상기 업컨버전 나노입자층 상에 형성된 제2 스페이서층; 및상기 제2 스페이서층의 표면에 형성된 다수개의 금속나노입자로 이루어진 제2 금속층;을 포함하는 근적외선 파장변환 구조체
2 2
제1항에 있어서,상기 근적외선 파장변환 구조체는 900 내지 1500 ㎚의 근적외선 파장영역을 400 내지 800 ㎚의 가시광 파장영역으로 변환하는 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변한 구조체
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 금속층 하면에 기판이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층은 각각 독립적으로 반도체 물질, 산화물, 질화물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
5 5
제1항에 있어서,상기 스페이서층의 두께는 1 내지 60 nm인 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 금속층을 이루는 다수개의 금속나노입자는 주기적 또는 비주기적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
7 7
제6항에 있어서,상기 금속나노입자가 비주기적으로 형성된 경우,상기 금속나노입자는 섬(island) 형태이고,상기 섬 형태의 금속나노입자가 비규칙적으로 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
8 8
제6항에 있어서,상기 금속나노입자가 주기적으로 형성된 경우,상기 금속나노입자는 삼각형, 원형, 타원형, 마름모 및 소정의 굴곡을 갖는 다각형으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 형태를 갖고,상기 금속나노입자는 10 내지 500 ㎚ 간격으로 정렬된 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
9 9
제1항에 있어서,상기 제1 금속층 및 제2 금속층은 서로 독립적으로 금, 은, 알루미늄, 니켈, 코발트, 철, 아연, 크롬 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
10 10
제1항에 있어서,상기 업컨버전 나노입자의 직경은 5 내지 100 nm 인 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
11 11
제1항에 있어서,상기 업컨버전 나노입자는 이터븀(Yb), 어븀(Er) 또는 이들의 혼합물이 도핑된 할라이드, 칼코게나이드 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것을 특징으로 하는 근적외선 파장변환 구조체
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 근적외선 파장변환 구조체로 이루어진 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성된 제1 투명전극층;상기 제1 투명전극층 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 제2 투명전극층; 및상기 제2 투명전극층 상에 형성된 제2 전극층;을 포함하는 태양전지
13 13
제12항에 있어서,상기 제1 투명전극층 및 제2 투명전극층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 불소주석산화물(fluorine tin oxide, FTO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 주석계 산화물(tin oxide, TO), 안티몬주석산화물(antimony tin oxide, ATO), 아연 산화물(zinc oxide), 알루미늄 도핑된 아연 산화물(Al-doped zinc oxide), 카드뮴산화물(CdO), 카드뮴주석산화물(CdSnO4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 투명 전도성 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 태양전지
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1 US2016190370 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9373740 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 미래융합기술파이오니아사업 스펙트럼 제어 태양전지 응용기술 개발