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H2S 또는 NH3 를 기판상에 전처리하는 단계; 및상기 기판 상에 백금족 박막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 백금족 박막을 형성하는 단계는,원자층 증착방법(ALD)을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 백금족 박막 증착방법
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제1항에 있어서,상기 백금족 박막은,백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 백금족 박막 증착방법
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제1항에 있어서,상기 전처리하는 단계는,25℃ - 350℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 백금족 박막 증착방법
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제1항에 있어서,상기 백금족 박막을 형성하는 단계는,100℃ - 350℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 백금족 박막 증착방법
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제1항에 있어서,상기 원자층 증착방법은, 상기 기판 상에 백금족 원료를 주입하는 단계;상기 백금족 원료를 퍼지하는 단계;산소 원료를 주입하는 단계; 및상기 산소 원료를 퍼지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백금족 박막 증착방법
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제6항에 있어서,상기 백금족 원료 물질은,Ru(Cp)2, Ru(MeCp)2, Ru(EtCp)2, Ru(tmhd)3, Ru(mhd)3, 2,4-(dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)Ru, (MeCp)Ir(CHD), Ir(acac)3, Ir(COD)(Cp), Ir(EtCp)(COD), MeCpPtMe3, CpPtMe3, Pt(acac)2, Pt(hfac)2, Pt(tmhd)2, (COD)Pt(CH3)3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 백금족 박막 증착방법
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제6항에 있어서,상기 산소 원료는,산소 기체, 공기 또는 질소와 산소의 혼합 가스, 오존, 산소 플라즈마 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 백금족 박막 증착방법
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