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리튬 원소(Li); 황 원소(S); 인 원소(P);인듐 원소(In); 및셀레늄 원소(Se)를 포함하고,이하의 화학식1로 표현되는 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질
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제1항에 있어서,InSe의 결정 구조를 갖는 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질
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제1항에 있어서,CuKα선을 사용한 X선 회절(XRD) 패턴 측정시2θ= 20° 내지 22°; 2θ= 26° 내지 28°; 2θ= 38° 내지 40°; 및 2θ= 44° 내지 46° 범위에서 InSe의 XRD 피크를 보이는 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질
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제1항에 있어서,상기 a는 0
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제1항에 있어서,대기 노출 후의 이온 전도도가 대기 노출 전의 이온 전도도의 40% 이상인 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질
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제1항에 있어서,보론(B), 탄소(C), 질소(N), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 비소(As), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 주석(Sn), 안티모니(Sb), 텔루륨(Te), 납(Pb), 비스무스(Bi) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 원소를 더 포함하는 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질
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황화리튬(Li2S), 5황화2인(P2S5) 및 셀렌화인듐(In2Se3)을 이하의 화학식1의 조성을 만족하는 몰비로 칭량하여 혼합하는 단계; 및[화학식1](Li2S)a·(P2S5)b·(In2Se3)c여기서, 상기 a는 0
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제8항에 있어서,상기 황화물계 원료는 P2S3, P2S5, P4S3, P4S5, P4S7, P4S10 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것인 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질의 제조방법
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제8항에 있어서,분쇄물을 열처리하는 단계를 더 포함하는 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질의 제조방법
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제11항에 있어서,열처리는 200 내지 1200 ℃에서 1 내지 3 시간 동안 수행되는 것인 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질의 제조방법
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양극;음극; 및상기 양극과 음극 사이에 개재되는 전해질층을 포함하고,상기 양극, 음극 및 전해질층 중 어느 하나 이상이 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 리튬 이온 전도성 황화물계 고체전해질을 포함하는 전고체 전지
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