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고이온전도성 고체전해질과 표면이 조면화된 음극 집전체를 포함하는 음극 무함유 전고체 전지

  • 기술번호 : KST2022020735
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 충방전 사이클의 안정성이 향상된 음극 무함유 전고체 전지에 관한 것이다. 구체적으로 상기 전지는 양극 활물질을 포함하는 양극층, 음극 집전체층 및 상기 양극과 음극 집전체 사이에 위치하고 고체전해질층을 포함하고, 상기 음극 집전체층은 표면조도(Rq)가 100㎚ 내지 1,000㎚인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01M 10/0585 (2010.01.01) H01M 4/13 (2010.01.01) H01M 4/66 (2006.01.01) H01M 10/42 (2014.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/0562 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 10/0585(2013.01) H01M 4/13(2013.01) H01M 4/661(2013.01) H01M 4/669(2013.01) H01M 10/4235(2013.01) H01M 4/62(2013.01) H01M 10/0562(2013.01) H01M 10/052(2013.01) H01M 2004/027(2013.01) H01M 2300/0068(2013.01)
출원번호/일자 1020210057634 (2021.05.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0150539 (2022.11.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상백 서울특별시 성북구
2 김병국 서울특별시 성북구
3 이종호 서울특별시 성북구
4 손지원 서울특별시 성북구
5 윤경중 서울특별시 성북구
6 김형철 서울특별시 성북구
7 지호일 서울특별시 성북구
8 양성은 서울특별시 성북구
9 권덕황 서울특별시 성북구
10 강형묵 서울특별시 성북구
11 구동희 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2021-0517842-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
양극 활물질을 포함하는 양극층;음극 집전체층; 및상기 양극과 음극 집전체 사이에 위치하고 고체전해질층을 포함하고,상기 음극 집전체층은 표면조도(Rq)가 100㎚ 내지 1,000㎚인 것을 특징으로 하는 음극 무함유(Anode-free) 전고체 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 음극 집전체층은 스텐레스강(SUS), 티탄(Ti), 니켈(Ni) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 음극 무함유 전고체 전지
3 3
제1항에 있어서,상기 음극 집전체층의 표면조도(Rq)는 180㎚ 내지 550㎚인 음극 무함유 전고체 전지
4 4
제1항에 있어서,상기 음극 집전체층이 고체전해질층과 직접 접촉(directly contact)하는 것을 특징으로 하는 음극 무함유 전고체 전지
5 5
제1항에 있어서,상기 고체전해질층의 이온 전도도는 1mS/cm 내지 9mS/cm인 음극 무함유 전고체 전지
6 6
제1항에 있어서,상기 고체전해질층의 이온 전도도는 9mS/cm 내지 20mS/cm인 음극 무함유 전고체 전지
7 7
제1항에 있어서,상기 음극 집전체층과 고체전해질층 사이에 위치하는 피복층을 더 포함하고, 상기 피복층은 탄소재 및 리튬과 합금을 형성할 수 있는 금속을 포함하는 음극 무함유 전고체 전지
8 8
제7항에 있어서,상기 금속은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 실리콘(Si), 은(Ag), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 음극 무함유 전고체 전지
9 9
제7항에 있어서,상기 피복층의 두께는 100㎚ 내지 10㎛인 음극 무함유 전고체 전지
10 10
제7항에 있어서,상기 고체전해질층의 이온 전도도는 9mS/cm 내지 20mS/cm인 음극 무함유 전고체 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 결정학적 hetero-junction interface를 이용한 전고체전지용 침투형 복합 구조에 대한 연구