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초박형 반도체 웨이퍼의 제조 방법, 그로부터 제조된 초박형 반도체 웨이퍼와 이를 포함하는 태양 전지, 그리고, 전술한 방법의 모든 단계를 포함하는 태양 전지 셀 제조 방법 및 이에 따라 제조된 태양 전지 셀

  • 기술번호 : KST2019011293
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초박형 반도체 웨이퍼의 제조 방법, 그로부터 제조된 초박형 반도체 웨이퍼와 이를 포함하는 태양 전지, 그리고, 전술한 방법의 모든 단계를 포함하는 태양 전지 셀 제조 방법 및 이에 따라 제조된 태양 전지 셀을 개시하고 있다. 본 발명의 일 실시예는, 반도체 웨이퍼 상에 이온을 주입하는 이온 주입 단계와, 상기 이온 주입 단계에 의해 내부에 결함이 형성된 상기 반도체 웨이퍼 상에 게터링 층을 형성하는 게터링 층 형성 단계, 그리고, 상기 반도체 웨이퍼로부터 제1 웨이퍼를 분리하여 획득하고 상기 반도체 웨이퍼 내부의 결함을 제거하는 열처리 단계를 포함하는 것을 반도체 웨이퍼 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170126389 (2017.09.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1934569-0000 (2018.12.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인호 서울특별시 성북구
2 김준곤 서울특별시 성북구
3 송종한 서울특별시 성북구
4 김원목 서울특별시 성북구
5 이택성 서울특별시 성북구
6 정두석 서울특별시 성북구
7 박종극 서울특별시 성북구
8 이도권 서울특별시 성북구
9 이현승 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0954088-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0054174-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0259886-92
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0585540-77
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0585539-20
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0729504-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-1109100-94
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.11.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1109101-39
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0836865-67
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1250946-66
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0873913-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 웨이퍼 상에 이온을 주입하는 이온 주입 단계;상기 이온 주입 단계에 의해 내부에 결함이 형성된 상기 반도체 웨이퍼 상에 게터링 층을 형성하는 게터링 층 형성 단계; 및상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 반도체 웨이퍼의 일부에 해당하는 제1 웨이퍼를 분리하여 획득하고 상기 반도체 웨이퍼 내부의 결함을 제거하는 열처리 단계를 포함하되,상기 열처리 단계는,상기 반도체 웨이퍼로부터 제1 웨이퍼를 분리하여 획득하는 박리 과정 및 상기 반도체 웨이퍼 내부의 결함을 제거하는 결함 제거 과정을 포함하고,상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 게터링 층이 외부 오염원을 차단하여 상기 반도체 웨이퍼의 열화를 방지함에 따라 단일의 열처리 공정으로 상기 박리 과정 및 상기 결함 제거 과정이 동시에 수행되도록 하는 것을 특징으로 하는 초박형 반도체 웨이퍼 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼로부터 분리된 상기 제1 웨이퍼는 하부에 결함층을 구비하고,상기 제1 웨이퍼의 결함층 및 상기 제1 웨이퍼 상에 형성된 상기 게터링 층을 제거하는 식각 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초박형 반도체 웨이퍼 제조 방법
3 3
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4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 게터링 층은 인 또는 붕소가 함유된 박막 형태인 것을 특징으로 하는 초박형 반도체 웨이퍼 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 박막은, n형 또는 p형 도펀트 함량이 50% 이상 100% 미만이고, 두께가 0nm 초과 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 초박형 반도체 웨이퍼 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
반도체 웨이퍼 상에 이온을 주입하는 이온 주입 단계;상기 이온 주입 단계에 의해 내부에 결함이 형성된 상기 반도체 웨이퍼 상에 게터링 층을 형성하는 게터링 층 형성 단계;상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 반도체 웨이퍼의 일부에 해당하는 제1 웨이퍼를 분리하여 획득하고 상기 반도체 웨이퍼 내부의 결함을 제거하는 열처리 단계; 및분리된 상기 제1 웨이퍼 상에 금속이 전면에 증착된 핸들 웨이퍼를 접합하는 핸들 웨이퍼 접합 단계를 포함하되,상기 열처리 단계에 의해 상기 제1 웨이퍼 상부에 에미터 층이 형성되되,상기 열처리 단계는,상기 반도체 웨이퍼로부터 제1 웨이퍼를 분리하여 획득하는 박리 과정 및 상기 반도체 웨이퍼 내부의 결함을 제거하는 결함 제거 과정을 포함하고,상기 반도체 웨이퍼 상에 형성된 게터링 층이 외부 오염원을 차단하여 상기 반도체 웨이퍼의 열화를 방지함에 따라 단일의 열처리 공정으로 상기 박리 과정 및 상기 결함 제거 과정이 동시에 수행되도록 하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 셀 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제1 웨이퍼의 상면의 에미터 층과 상기 금속의 전기적인 접촉을 위해 소정의 영역에 나노초 단위의 펄스 레이저를 조사하는 레이저 공정 단계; 및상기 제1 웨이퍼의 하면에 비정질 실리콘 층, 전도층 및 전극층을 형성하는 후면 공정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 셀 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제9항에 있어서,상기 금속은 Al로 형성되고,상기 게터링 층은 인 또는 붕소가 함유된 박막 형태이며,상기 박막은 n형 또는 p형 도펀트 함량이 50% 이상 100% 미만이고, 두께가 0nm 초과 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지 셀 제조 방법
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 산업기술혁신사업-에너지기술개발사업 이온주입법을 이용한 고효율 결정형 실리콘 태양전지용 두께 50 μm이하 초박형 웨이퍼 제조기술
2 산업통상부 울산과학기술원 산업기술혁신사업-에너지기술개발사업 고효율(≥25%) 결정질 Si/Perovskite 모노리식 텐덤 태양전지 기술개발