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셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층을 구비하는 박막 태양전지의 기판 구조체로서,폴리이미드 기판;상기 폴리이미드 기판의 일면 상에 형성된 제 1 전극층; 및상기 제 1 전극층 상에 형성된 제 2 전극층;을 포함하고,상기 제 1 전극층 및 상기 폴리이미드 기판간 열팽창계수의 차이에 의해 발생되는 손상을 억제하기 위해, 상기 폴리이미드 기판의 타면 상에 형성된 제 1 박막층; 및상기 박막 태양전지의 광흡수층을 형성하기 위해서 상기 제 1 박막층에서 상기 폴리이미드 기판 방향으로 열이 입사될 때, 상기 폴리이미드 기판, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 가열효율을 향상시키기 위해, 상기 제 1 박막층 상에 형성된 제 2 박막층;을 더 포함하며,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층은 스퍼터링 방법을 이용하여 챔버 내의 증착압력을 조절함으로써 상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층의 미세구조가 서로 상이하게 제어되고,상기 제 2 박막층은 상기 제 1 박막층보다 상대적으로 더 높은 증착압력을 갖는 챔버내에서 형성되며, 상기 제 1 박막층은 상기 제 2 박막층보다 상대적으로 더 치밀하고, 기공이 적으며,상기 제 2 박막층의 표면 반사도는 30% 이하(0초과)인,기판 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막층은 상기 제 1 박막층보다 산소 함유량이 더 높으며,상기 산소는 상기 제 1 박막층 또는 상기 제 2 박막층의 기공내에 함유되는,기판 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층 중 어느 하나 이상은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 크롬(Cr)을 포함하는, 기판 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 미세구조는 깊이에 따라 기공도가 변하는 기공경사층(void-graded)을 형성하고,상기 제 1 박막층과 접하는 상기 제 2 박막층의 하부는 상기 제 2 박막층의 상부보다 상대적으로 상기 기공이 더 적고 치밀한 구조를 갖는,기판 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층은 상기 챔버내에서 인-시튜(in-situ)로 형성되는,기판 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층의 평균 비저항은 3×10-5Ω㎝ 이하(0 초과)인,기판 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 두께는 10㎚ 내지 200㎚ 이하인,기판 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극층 상에 형성되며, 상기 제 2 전극층보다 상대적으로 기공이 더 많고, 산소의 함유량이 더 높은 제 3 전극층을 포함하는,기판 구조체
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폴리이미드 기판;상기 폴리이미드 기판의 일면 상에 형성된 제 1 전극층; 및상기 제 1 전극층 상에 형성된 제 2 전극층;상기 제 2 전극층 상에 형성된 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층;을 포함하고, 상기 제 1 전극층 및 상기 폴리이미드 기판간 열팽창계수의 차이에 의해 발생되는 손상을 억제하기 위해, 상기 폴리이미드 기판의 타면 상에 형성된 제 1 박막층; 및상기 광흡수층을 형성하기 위해서 상기 제 1 박막층에서 상기 폴리이미드 기판 방향으로 열이 입사될 때, 상기 폴리이미드 기판, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 가열효율을 향상시키기 위해, 상기 제 1 박막층 상에 형성된 제 2 박막층;을 더 포함하며,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층은 스퍼터링 방법을 이용하여 챔버 내의 증착압력을 조절함으로써 상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층의 미세구조가 서로 상이하게 제어되고,상기 제 2 박막층은 상기 제 1 박막층보다 상대적으로 더 높은 증착압력을 갖는 챔버내에서 형성되며, 상기 제 1 박막층은 상기 제 2 박막층보다 상대적으로 더 치밀하고, 기공이 적으며,상기 제 2 박막층의 표면 반사도는 30% 이하(0초과)인,박막 태양전지
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제 12 항에 있어서,상기 광흡수층 상에 버퍼층 및 고저항 윈도우층 중 적어도 하나의 층이 형성되며, 상기 버퍼층 및 고저항 윈도우층 중 적어도 하나의 층 상에 형성된 전면전극층을 포함하는,박막 태양전지
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제 12 항에 있어서,상기 제 2 박막층은 상기 제 1 박막층보다 산소 함유량이 더 높으며,상기 산소는 상기 제 1 박막층 또는 상기 제 2 박막층의 기공내에 함유되는,박막 태양전지
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층 중 어느 하나 이상은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 크롬(Cr)을 포함하는, 박막 태양전지
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제 12 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 미세구조는 깊이에 따라 기공도가 변하는 기공경사층(void-graded)을 형성하고,상기 제 1 박막층과 접하는 상기 제 2 박막층의 하부는 상기 제 2 박막층의 상부보다 상대적으로 상기 기공이 더 적고 치밀한 구조를 갖는,박막 태양전지
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층의 평균 비저항은 3×10-5Ω㎝ 이하(0 초과)인,박막 태양전지
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제 12 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 두께는 10㎚ 내지 200㎚ 이하인,박막 태양전지
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제 12 항에 있어서,상기 광흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 및 갈륨(Ga)을 포함하는 예비 광흡수층 상에 셀렌화(selenization) 및 황화(sulfurization)를 수행함으로써 형성된,박막 태양전지
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