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기판 구조체 및 이를 이용한 박막 태양전지
- 기술번호 : KST2019011300
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 폴리이미드 기판; 상기 폴리이미드 기판의 일면 상에 형성된 제 1 전극층; 및 상기 제 1 전극층 상에 형성된 제 2 전극층;을 포함하고, 상기 제 1 전극층 및 상기 폴리이미드 기판간 열팽창계수의 차이에 의해 발생되는 손상을 억제하기 위해, 상기 폴리이미드 기판의 타면 상에 형성된 제 1 박막층; 및 상기 제 1 박막층에서 상기 폴리이미드 기판 방향으로 입사되는 열에 의해 상기 폴리이미드 기판, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 가열효율을 향상시키기 위해, 상기 제 1 박막층 상에 형성된 제 2 박막층;을 더 포함하며, 상기 제 1 박막층은 상기 제 2 박막층보다 상대적으로 더 치밀하고, 기공이 적은, 기판 구조체 및 이를 이용한 박막 태양전지를 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 31/03928(2013.01) H01L 31/03928(2013.01) H01L 31/03928(2013.01) H01L 31/03928(2013.01) H01L 31/03928(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020170136709 (2017.10.20) |
| 출원인 | 한국과학기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1938727-0000 (2019.01.09) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20190116) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2017.10.20) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정증현 | 서울특별시 성북구 | |
| 2 | 김원목 | 서울특별시 성북구 | |
| 3 | 박종극 | 서울특별시 성북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김남식 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소) |
| 2 | 이인행 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소) |
| 3 | 김한 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2017.10.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1038681-10 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2017.12.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2018.01.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2018-0001739-78 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2018.07.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0491323-96 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2018.09.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0933620-40 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2018.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0933619-04 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2019.01.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0019342-49 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층을 구비하는 박막 태양전지의 기판 구조체로서,폴리이미드 기판;상기 폴리이미드 기판의 일면 상에 형성된 제 1 전극층; 및상기 제 1 전극층 상에 형성된 제 2 전극층;을 포함하고,상기 제 1 전극층 및 상기 폴리이미드 기판간 열팽창계수의 차이에 의해 발생되는 손상을 억제하기 위해, 상기 폴리이미드 기판의 타면 상에 형성된 제 1 박막층; 및상기 박막 태양전지의 광흡수층을 형성하기 위해서 상기 제 1 박막층에서 상기 폴리이미드 기판 방향으로 열이 입사될 때, 상기 폴리이미드 기판, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 가열효율을 향상시키기 위해, 상기 제 1 박막층 상에 형성된 제 2 박막층;을 더 포함하며,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층은 스퍼터링 방법을 이용하여 챔버 내의 증착압력을 조절함으로써 상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층의 미세구조가 서로 상이하게 제어되고,상기 제 2 박막층은 상기 제 1 박막층보다 상대적으로 더 높은 증착압력을 갖는 챔버내에서 형성되며, 상기 제 1 박막층은 상기 제 2 박막층보다 상대적으로 더 치밀하고, 기공이 적으며,상기 제 2 박막층의 표면 반사도는 30% 이하(0초과)인,기판 구조체 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막층은 상기 제 1 박막층보다 산소 함유량이 더 높으며,상기 산소는 상기 제 1 박막층 또는 상기 제 2 박막층의 기공내에 함유되는,기판 구조체 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층 중 어느 하나 이상은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 크롬(Cr)을 포함하는, 기판 구조체 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 미세구조는 깊이에 따라 기공도가 변하는 기공경사층(void-graded)을 형성하고,상기 제 1 박막층과 접하는 상기 제 2 박막층의 하부는 상기 제 2 박막층의 상부보다 상대적으로 상기 기공이 더 적고 치밀한 구조를 갖는,기판 구조체 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층은 상기 챔버내에서 인-시튜(in-situ)로 형성되는,기판 구조체 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층의 평균 비저항은 3×10-5Ω㎝ 이하(0 초과)인,기판 구조체 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 두께는 10㎚ 내지 200㎚ 이하인,기판 구조체 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극층 상에 형성되며, 상기 제 2 전극층보다 상대적으로 기공이 더 많고, 산소의 함유량이 더 높은 제 3 전극층을 포함하는,기판 구조체 |
| 12 |
12 폴리이미드 기판;상기 폴리이미드 기판의 일면 상에 형성된 제 1 전극층; 및상기 제 1 전극층 상에 형성된 제 2 전극층;상기 제 2 전극층 상에 형성된 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층;을 포함하고, 상기 제 1 전극층 및 상기 폴리이미드 기판간 열팽창계수의 차이에 의해 발생되는 손상을 억제하기 위해, 상기 폴리이미드 기판의 타면 상에 형성된 제 1 박막층; 및상기 광흡수층을 형성하기 위해서 상기 제 1 박막층에서 상기 폴리이미드 기판 방향으로 열이 입사될 때, 상기 폴리이미드 기판, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 가열효율을 향상시키기 위해, 상기 제 1 박막층 상에 형성된 제 2 박막층;을 더 포함하며,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층은 스퍼터링 방법을 이용하여 챔버 내의 증착압력을 조절함으로써 상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층의 미세구조가 서로 상이하게 제어되고,상기 제 2 박막층은 상기 제 1 박막층보다 상대적으로 더 높은 증착압력을 갖는 챔버내에서 형성되며, 상기 제 1 박막층은 상기 제 2 박막층보다 상대적으로 더 치밀하고, 기공이 적으며,상기 제 2 박막층의 표면 반사도는 30% 이하(0초과)인,박막 태양전지 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 광흡수층 상에 버퍼층 및 고저항 윈도우층 중 적어도 하나의 층이 형성되며, 상기 버퍼층 및 고저항 윈도우층 중 적어도 하나의 층 상에 형성된 전면전극층을 포함하는,박막 태양전지 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서,상기 제 2 박막층은 상기 제 1 박막층보다 산소 함유량이 더 높으며,상기 산소는 상기 제 1 박막층 또는 상기 제 2 박막층의 기공내에 함유되는,박막 태양전지 |
| 15 |
15 제 12 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층 중 어느 하나 이상은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 크롬(Cr)을 포함하는, 박막 태양전지 |
| 16 |
16 제 12 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 미세구조는 깊이에 따라 기공도가 변하는 기공경사층(void-graded)을 형성하고,상기 제 1 박막층과 접하는 상기 제 2 박막층의 하부는 상기 제 2 박막층의 상부보다 상대적으로 상기 기공이 더 적고 치밀한 구조를 갖는,박막 태양전지 |
| 17 |
17 제 12 항에 있어서,상기 제 1 박막층 및 상기 제 2 박막층의 평균 비저항은 3×10-5Ω㎝ 이하(0 초과)인,박막 태양전지 |
| 18 |
18 제 12 항에 있어서,상기 제 2 박막층의 두께는 10㎚ 내지 200㎚ 이하인,박막 태양전지 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 제 12 항에 있어서,상기 광흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 및 갈륨(Ga)을 포함하는 예비 광흡수층 상에 셀렌화(selenization) 및 황화(sulfurization)를 수행함으로써 형성된,박막 태양전지 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 산업통상자원부 | 한국과학기술연구원 | 에너지국제공동연구(전력기금) | 레이저 미세가공 기반 유연 CIGS 박막 태양전지 단일집적 모듈화 기술 |
| 2 | 미래창조과학부 | 한국과학기술연구원 | 기후변화대응기술개발 | 수요대응형 태양광모듈 구현을 위한 비접촉식 박막미세가공 기술 개발 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1938727-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20171020 출원 번호 : 1020170136709 공고 연월일 : 20190116 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20190108 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 31/0392 발명의 명칭 : 기판 구조체 및 이를 이용한 박막 태양전지 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2019년 01월 10일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2017.10.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1038681-10 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2017.12.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2018.01.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2018-0001739-78 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2018.07.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2018-0491323-96 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2018.09.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2018-0933620-40 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2018.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0933619-04 |
| 7 | 등록결정서 | 2019.01.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0019342-49 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415154257 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 20158520000060 |
| 연구과제명 | 레이저 미세가공 기반 유연 CIGS 박막 태양전지 단일집적 모듈화 기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 산업통상자원부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2017 |
| 연구기간 | 201711~201810 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1711058749 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2016M1A2A2936782 |
| 연구과제명 | 수요대응형 태양광모듈 구현을 위한 비접촉식 박막미세가공 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 과학기술정보통신부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2017 |
| 연구기간 | 201709~201806 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1711063824 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E27281 |
| 연구과제명 | 고출력 광발전을 위한 차세대 하이브리드 소자 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 과학기술정보통신부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2017 |
| 연구기간 | 201701~201712 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
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